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Que tal. Me gustaria que me ayudarnan a generar un macro que me ayude a determinar la clase de componente dependiendo de su descripción, por ejemplo, tengo una lista de numeros de parte con su descripción, existe otro campo vacio (que ...
Mensaje publicado en el 02/04/2009 - 18:43
Toshiba Lanzará MOSFET ultra compactos para los circuitos de carga de alta corriente de dispositivos móviles
Se amplía la serie para los paquetes de disipación de alta potencia.
Communicado publicado en el 29/07/2013 - 12:07
Toshiba lanzará un MOSFET de doble N-ch de alta velocidad para convertidores DC-DC de dispositivos móviles
Un producto de baja capacitancia que soporta altas corrientes mejora la eficiencia de la conmutación de alta velocidad.
Communicado publicado en el 01/03/2013 - 23:28
Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones Automotrices
La última línea agrega el paquete "DPAK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.
Communicado publicado en el 25/01/2013 - 19:25
Toshiba Lanza el Nuevo Opto Acoplador con Amplificador de Potencia IGBT/MOSFET
Ayuda a reducir el tiempo muerto y mejora la eficacia en circuitos inversores en un rango de temperatura operativa entre -40 °C y 125 °C..
Communicado publicado en el 08/01/2013 - 15:03
Toshiba Lanza la Serie "πMOS VIII" de MOSFET de Alta Tensión
Reduce la resistencia en encendido en aproximadamente un 24 %.
Communicado publicado en el 22/07/2013 - 08:36
Toshiba Expande la Línea de MOSFET de Canal N de Baja Tensión
La Baja Resistencia de Encendido Reduce la Pérdida de Conducción en Equipos Móviles.
Communicado publicado en el 10/07/2013 - 17:11
Toshiba Lanza el Nuevo MOSFET "SSM3K337R" para Controladores de Relé
La estructura de enganche activa impide la sobretensión cuando se apaga la carga inductiva..
Communicado publicado en el 21/06/2013 - 16:28
Toshiba Introduce el MOSFET de Potencia con Tensión de 30V para Estaciones de Base y Servidores
Logra desempeño de baja resistencia de encendido y conmutación de alta velocidad de primera clase [Nota 1].
Communicado publicado en el 18/06/2013 - 13:18
Toshiba lanza el MOSFET de baja resistencia de encendido N-ch de 100V para aplicaciones en vehículos
Utiliza el paquete "DPACK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.
Communicado publicado en el 06/03/2013 - 17:28
Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones en Vehículos
También logra una baja pérdida de corriente y una operación a 175 °C.
Communicado publicado en el 15/01/2013 - 17:15
Toshiba lanza el nuevo MOSFET de canal N con baja resistencia de encendido
Los últimos productos de procesos de octava generación para usar en los circuitos de protección de baterías de iones de litio y en los interruptores de gestión de alimentación de teléfonos celulares.
Communicado publicado en el 07/12/2012 - 15:49
Toshiba introduce la serie MOSFET “DTMOS IV” superacomplamiento para sistema de 650 V
Realiza un desempeño de baja resistencia de encendido de primer nivel1.
Communicado publicado en el 18/07/2013 - 15:03
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Mensaje publicado en el 25/10/2004 - 17:20