Toshiba Expande la Producción de Memoria Flash 3D con la Construcción de Una Nueva Planta de Fabricación en Yokkaichi

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el esquema del programa para la construcción de una planta de fabricación de vanguardia en Yokkaichi Operations, Mie, Japón, para ampliar la producción de BiCS FLASH^TM, su memoria flash 3D patentada^[1].

Luego del anuncio en marzo de su intención de construir una nueva planta para BiCS FLASH™, la empresa decidió comenzar la construcción en febrero de 2017. La nueva planta estará destinada a procesos de memoria flash 3D. Al igual que Fab 5, se construirá en dos etapas para mejorar el ritmo de inversión en comparación con las tendencias del mercado, con la finalización de la primera etapa en el verano de 2018. Toshiba también planea construir un nuevo edificio adyacente a la nueva planta, el Centro Memory R&D. Esto reunirá actividades de desarrollo e investigación que ahora se llevan a cabo en diferentes lugares, un cambio que promoverá el desarrollo de memorias flash.

Las decisiones sobre la capacidad general de la planta y en la inversión en equipos, el inicio de la producción, la capacidad y el plan de producción reflejarán las tendencias del mercado.

Toshiba espera continuar sus inversiones conjuntas y las operaciones del emprendimiento conjunto de flash, con base en la charla con Western Digital en la nueva instalación.

La nueva planta tendrá una estructura con absorción de terremotos y un diseño ecológico que incluye iluminación LED en todo el edificio, además de los equipos de fabricación de ahorro de energía más recientes. También incorporará un sistema de producción avanzada que utiliza inteligencia artificial para potenciar la productividad.

Además, Toshiba expandirá su negocio de memorias e impulsará la competitividad mediante inversiones oportunas que respondan a las necesidades del mercado, y con el desarrollo de BiCS FLASH™ y memorias de nueva generación.

Nota:
[1] Una estructura que apila células de memoria Flash en un sustrato de silicio. Realiza grandes mejoras de densidad en comparación con la memoria flash NAND, donde las células se forman en sustratos de silicio.
* BiCS FLASH es una marca comercial de Toshiba Corporation.

Acerca de Toshiba Corporation

Toshiba Corporation, una empresa de la lista Fortune Global 500, canaliza las capacidades de clase mundial en productos y sistemas eléctricos y electrónicos avanzados de tres áreas principales de negocios: Energía que sostiene la vida cotidiana, que es más limpia y más segura; Infraestructura que sostiene la calidad de vida y Almacenamiento que sostiene a la sociedad de información avanzada. Siguiendo los principios del Compromiso básico de Toshiba Group, “Comprometidos con la gente, comprometidos con el futuro” (Committed to People, Committed to the Future), Toshiba promueve operaciones internacionales y contribuye a la existencia de un mundo en el que las generaciones futuras vivan mejor.
Fundada en Tokio en 1875, Toshiba, actualmente, se encuentra en el centro de una red global de más de 550 compañías consolidadas que emplean a más de 188 000 personas a nivel mundial, con ventas anuales que superan los 5600 billones de JPY (50 000 millones de USD). (Al 31 de marzo de 2016).
Para obtener más información sobre Toshiba, visite www.toshiba.co.jp/index.htm

El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versión oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptación y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la única versión del texto que tendrá un efecto legal.

Vea la versión original en businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20161108006201/es/