Toshiba introduce la serie MOSFET “DTMOS IV” superacomplamiento para sistema de 650 V

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que lanzó la 4.^a generación de sus MOSFET de superacoplamiento, la serie “DTMOS IV” de dispositivos de 650 V. El “TK14A65W” fue lanzado como el producto inicial de la serie y la producción en masa a escala completa está programada para comenzar en agosto de 2013.
Al utilizar el último proceso epitaxial individual, la serie reduce la Ron·A (resistencia en encendido por área) en, aproximadamente, el 50 %² en comparación con la serie “DTMOS II” de 650 V existente. Esto permite una línea de paquetes pequeños, lo que contribuye a mejorar la eficiencia energética y reducir el tamaño de los productos en los que se integra.

Toshiba 650V system DTMOS IV series, "TK14A65W" (Photo: Business Wire)

Notas:
[1] A julio de 2013. Investigación por Toshiba Corporation.
[2] Comparado con “TK17A65U”.

Para obtener más información sobre el producto, vea la página del producto.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324030_37649.html

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