Toshiba: Compromiso con Dispositivos de Potencia

Toshiba (TOKYO: 6502): Los dispositivos de potencia son productos estratégicos que están a la vanguardia del negocio de los dispositivos discretos. En la electrónica de potencia, el foco de Toshiba ...

Communicado publicado en el 05/04/2013 - 21:35

Toshiba Lanzará MOSFET ultra compactos para los circuitos de carga de alta corriente de dispositivos móviles

Se amplía la serie para los paquetes de disipación de alta potencia.

Communicado publicado en el 29/07/2013 - 12:07

Toshiba Lanza Fotoacopladores con Amplificador de Potencia con Paquete SO6L de Baja Altura

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el lanzamiento de fotoacopladores con amplificador de potencia con paquete SO6L de baja altura para usar en la amplificación de IGBT de potencia pequeña a media ...

Communicado publicado en el 28/01/2014 - 18:49

Toshiba Mostrará las Soluciones de Semiconductores de Tecnología de Punta para Sistemas de Motores y de Potencia en TECHNO-FRONTIER 2013

Toshiba Corporation Semiconductor & Storage Products Company anunció hoy que mostrará sus soluciones de semiconductores de tecnología de punta para sistemas de motores y de potencia en TECHNO-FRONTIER 2013. ...

Communicado publicado en el 12/07/2013 - 16:06

Toshiba: Un dispositivo de estructura innovadora en el MOSFET de bajo consumo para aplicaciones RF/analógicas

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un transistor de alta ganancia de potencia utilizando un proceso compatible con CMOS. El transistor reduce eficazmente el consumo de energía en la ...

Communicado publicado en el 11/06/2013 - 16:20

Toshiba ampliará la capacidad de producción de semiconductores de potencia con una nueva planta de producción

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) anunció hoy que construirá una nueva planta de producción back-end para semiconductores de potencia en su sede Himeji-Semiconductor, en la prefectura de Hyogo en Japón ...

Communicado publicado en el 19/12/2022 - 11:22

Toshiba Lanza el Nuevo Opto Acoplador con Amplificador de Potencia IGBT/MOSFET

Ayuda a reducir el tiempo muerto y mejora la eficacia en circuitos inversores en un rango de temperatura operativa entre -40 °C y 125 °C..

Communicado publicado en el 08/01/2013 - 15:03

ROHM y Toshiba acuerdan colaborar en la fabricación de dispositivos de potencia

El METI reconoce que el plan conjunto favorece un suministro estable y seguro.

Communicado publicado en el 08/12/2023 - 16:00

Toshiba Lanza el Nuevo MOSFET "SSM3K337R" para Controladores de Relé

La estructura de enganche activa impide la sobretensión cuando se apaga la carga inductiva..

Communicado publicado en el 21/06/2013 - 16:28

Toshiba Introduce el MOSFET de Potencia con Tensión de 30V para Estaciones de Base y Servidores

Logra desempeño de baja resistencia de encendido y conmutación de alta velocidad de primera clase [Nota 1].

Communicado publicado en el 18/06/2013 - 13:18

Toshiba Desarrolla Transistores de Efecto de Campo de Tunelización para MCU de Ultra Baja Potencia

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de Transistores de Efecto de Campo de Tunelización (Tunneling Field Effect Transistors, TFET) que utilizan un nuevo principio de funcionamiento para ...

Communicado publicado en el 11/09/2014 - 23:00

Toshiba Lanza la Serie "πMOS VIII" de MOSFET de Alta Tensión

Reduce la resistencia en encendido en aproximadamente un 24 %.

Communicado publicado en el 22/07/2013 - 08:36

Toshiba Expande su Línea de MOSFET de Potencia para Estaciones de Base y Servidores

Lanza productos de 60V con un desempeño de baja resistencia en encendido de primera clase[1] y conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 28/06/2013 - 15:39

Toshiba Desarrolla una SRAM de Fuga Extremadamente Baja (XLL SRAM), que Permite que una MCU de Baja Potencia se Encienda Rápidamente desde el Modo 'Inactivo Prolongado'

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de una Memoria de acceso aleatorio estática (Static Random Access Memory, SRAM) de 65 nm con una fuga extremadamente baja (XLL SRAM) apropiada para la RAM ...

Communicado publicado en el 12/02/2014 - 19:44

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