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IBM, AMD, Sony boost chip speeds by 24% By Tony Smith Published Monday 13th December 2004 10:43 GMT http://www.theregister.co.uk/2004/12/13/ibm_strained_silicon/ IBM and AMD have found a way to improve transistor performance by up to 24 per cent - ...

Mensaje publicado en el 13/12/2004 - 13:14

Toshiba Lanza el Transistor Bipolar de 800 V para Fuentes de Alimentación de Conmutación

Contribuye a la reducción de la alimentación de reserva (standby) de los dispositivos móviles.

Communicado publicado en el 30/08/2013 - 18:36

Toshiba lanza optoacopladores de salida tipo transistor de baja corriente de alimentación

Contribuye al bajo consumo de energía.

Communicado publicado en el 05/08/2013 - 15:17

Toshiba: Un dispositivo de estructura innovadora en el MOSFET de bajo consumo para aplicaciones RF/analógicas

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un transistor de alta ganancia de potencia utilizando un proceso compatible con CMOS. El transistor reduce eficazmente el consumo de energía en la ...

Communicado publicado en el 11/06/2013 - 16:20

Toshiba Inicia los Embarques de Muestras de los Circuitos Integrados Reguladores para Aplicaciones Automotrices

Soportan Altas Corrientes de Salida en Combinación con un Transistor de Potencia Externo.

Communicado publicado en el 25/03/2014 - 13:28

Panasonic Iniciará la Producción Masiva del Amplificador de Potencia de Alta Velocidad Dedicado para los Transistores de Potencia GaN X-GaN (TM)

-Contribuyendo al ahorro de espacio y energía de unidades de conversión de potencia-.

Communicado publicado en el 07/11/2016 - 21:37

Integra Technologies comienza los envíos de producción del primer RF GaN de 100 V de la industria

Integra también amplía su cartera de productos de RF GaN de 100 V con 7 lanzamientos de nuevos productos.

Communicado publicado en el 21/06/2022 - 21:04

Panasonic Lanzará el Paquete de Transistores de Potencia de 600 V de GaN con Modo de Refuerzo Más Pequeño de la Industria*

Panasonic Corporation anunció hoy el lanzamiento del paquete de transistores de potencia (X-GaNTM)** y modo de refuerzo[1] de nitruro de galio (GaN)[2] más pequeño de la industria. El GaN está encapsulado en un ...

Communicado publicado en el 18/05/2015 - 23:49

Infineon y Panasonic Establecerán un Abastecimiento Dual para Dispositivos de Potencia de 600V de GaN Normalmente Inactivos

Infineon Technologies AG (FSE: IFX/OTCQX: IFNNY) y Panasonic Corporation (TSE: 6752) han anunciado un acuerdo en virtud del cual ambas empresas desarrollarán conjuntamente los dispositivos de nitruro de galio (GaN) ...

Communicado publicado en el 10/03/2015 - 22:19

Dispositivo de Protección contra Descarga Electrostática de Toshiba con Proceso de 0,13 μm para Semiconductor de Energía Analógica Mejora Características de ESD

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha desarrollado un dispositivo de protección contra descarga electrostática para la aplicación de semiconductores de energía analógica. El dispositivo está fabricado con ...

Communicado publicado en el 15/06/2016 - 21:14

Panasonic Presenta una Amplia Gama de Tecnologías Líderes en la PCIM, Europa 2016

Panasonic Automotive & Industrial Systems Europe presentó su línea tecnológica en la Feria de Conversión de Potencia y Sistemas de Movimiento Inteligente 2016 (Power Conversion Intelligent Motion, PCIM), que ...

Communicado publicado en el 18/05/2016 - 19:06

Toshiba Desarrolla Transistores de Efecto de Campo de Tunelización para MCU de Ultra Baja Potencia

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de Transistores de Efecto de Campo de Tunelización (Tunneling Field Effect Transistors, TFET) que utilizan un nuevo principio de funcionamiento para ...

Communicado publicado en el 11/09/2014 - 23:00

Toshiba Desarrolla una SRAM de Fuga Extremadamente Baja (XLL SRAM), que Permite que una MCU de Baja Potencia se Encienda Rápidamente desde el Modo 'Inactivo Prolongado'

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de una Memoria de acceso aleatorio estática (Static Random Access Memory, SRAM) de 65 nm con una fuga extremadamente baja (XLL SRAM) apropiada para la RAM ...

Communicado publicado en el 12/02/2014 - 19:44

NTT logra la transmisión óptica más rápida del mundo, con más de 2 Tbits/s por longitud de onda

Una tecnología de red de comunicaciones de gran capacidad para apoyar la IOWN y la 6G.

Communicado publicado en el 18/10/2022 - 03:52