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Kioxia desarrolla la nueva estructura celular de memoria flash semicircular 3D "Twin BiCS FLASH"
- Utilizando la nueva tecnología de puerta dividida para aumentar la densidad de bits -.
Communicado publicado en el 12/12/2019 - 23:03
Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)
Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene ...
Communicado publicado en el 11/12/2024 - 09:30
Kioxia desarrolla una tecnología clave que permitirá la implementación práctica de DRAM 3D de alta densidad y bajo consumo
Presentación de la tecnología de los transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables.
Communicado publicado en el 12/12/2025 - 10:30
Kioxia y Sandisk invertirán más de USD 31 000 millones en Japón para consolidar su liderazgo en la industria de la memoria
Las inversiones previstas hasta 2032 fortalecerán aún más la alianza de larga trayectoria entre ambas empresas y contribuirán a garantizar un suministro sostenido de memoria flash durante los próximos años Las inversiones están alineadas ...
Communicado publicado en el 27/08/2026 - 23:43
Kioxia y MoDeCH desarrollan un sistema de sondeo tridimensional
Medición de las características de alta frecuencia para estructuras tridimensionales hasta 110 GHz.
Communicado publicado en el 27/09/2024 - 10:09
Viernes 11 de septiembre - 09:25
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