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Kioxia y Sandisk inician la producción de memorias flash 3D de décima generación en la Fab2 de la planta de Kitakami
Las empresas destacan los avances en la expansión de la infraestructura de fabricación de K2 para responder a la creciente demanda de memoria flash NAND.
Communicado publicado en el 03/07/2026 - 19:42
Kioxia nombra Director financiero a Yoshihiko Kawamura
Kioxia Holdings Corporation (TOKYO:285A), líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy el nombramiento de Yoshihiko Kawamura como Director financiero (CFO), a partir del 1 de abril de 2026. El Sr. Kawamura aporta a Kioxia una amplia ...
Communicado publicado en el 27/02/2026 - 16:31
Kioxia fue distinguido con el premio Clarivate Top 100 Global Innovators 2026
Kioxia Corporation fue distinguido por Clarivate Plc con el premio Clarivate Top 100 Global Innovators 2026, que se otorga a las empresas globales más innovadoras. Se trata de la quinta vez que Kioxia recibe este prestigioso galardón como ...
Communicado publicado en el 22/01/2026 - 20:07
Kioxia desarrolla una tecnología clave que permitirá la implementación práctica de DRAM 3D de alta densidad y bajo consumo
Presentación de la tecnología de los transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables.
Communicado publicado en el 12/12/2025 - 10:30
Kioxia y Google se unen para impulsar el uso de energía limpia en Japón
Como parte de su compromiso con un futuro más sostenible, Kioxia Corporation (“Kioxia”) anunció hoy una iniciativa conjunta con Google LLC (“Google”) para aumentar el uso de electricidad limpia generada por un proyecto de modernización ...
Communicado publicado en el 04/12/2025 - 10:43
Kioxia y Sandisk anuncian el comienzo de la puesta en marcha de Fab2 en la Planta de Kitakami, en Japón, para satisfacer la demanda del mercado impulsada por la IA
Kioxia Corporation, subsidiaria de Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A) y Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK) anunciaron hoy que comenzó a ponerse en marcha Fab2 (K2), una instalación de fabricación de semiconductores de vanguardia, en la ...
Communicado publicado en el 01/10/2025 - 05:11
Kioxia consigue crear un prototipo de módulo de memoria flash de gran capacidad (5 TB) y alto ancho de banda (64 GB/s)
Permite el procesamiento avanzado de IA en la periferia para impulsar la transformación inteligente de las industrias..
Communicado publicado en el 20/08/2025 - 10:25
Kioxia Holdings Corporation gana el premio a la OPV del año en la categoría Renta variable en los DealWatch Awards 2024
Kioxia Holdings Corporation (TOKIO:285A), líder mundial en soluciones de memoria, anuncia que ha ganado el premio a la OPV del año en la categoría Renta variable en los DealWatch Awards 2024, organizados por DealWatch, la fuente más autorizada ...
Communicado publicado en el 23/05/2025 - 10:56
KIOXIA y Linus Media Group establecen récord mundial en el cálculo del número pi
Nuevo título de GUINNESS WORLD RECORDS para el valor más preciso del número pi: 300 billones de dígitos calculados utilizando unidades de estado sólido NVMe™ de KIOXIA.
Communicado publicado en el 19/05/2025 - 10:43
Kioxia figura entre los 100 principales innovadores mundiales de Clarivate en 2025
Kioxia Corporation ha sido elegida como uno de los «Clarivate Top 100 Global Innovators 2025», un premio otorgado a las empresas mundiales más innovadoras por Clarivate Plc. Esta es la cuarta vez que Kioxia recibe este prestigioso galardón en ...
Communicado publicado en el 13/03/2025 - 11:10
Kioxia y Sandisk presentan la tecnología de memoria flash 3D de última generación que alcanza una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s
Las empresas presentan una vista previa de la tecnología de memoria flash 3D de 10a generación que establece un nuevo punto de referencia en cuanto a rendimiento, eficiencia energética y densidad de bits.
Communicado publicado en el 20/02/2025 - 09:19
Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)
Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene ...
Communicado publicado en el 11/12/2024 - 09:30
Kioxia y MoDeCH desarrollan un sistema de sondeo tridimensional
Medición de las características de alta frecuencia para estructuras tridimensionales hasta 110 GHz.
Communicado publicado en el 27/09/2024 - 10:09
Kioxia anuncia la finalización de la nueva nave de fabricación de memorias flash en la planta de Kitakami
El nuevo edificio administrativo entrará en funcionamiento en noviembre..
Communicado publicado en el 01/08/2024 - 08:10