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Kioxia desarrolla una tecnología clave que permitirá la implementación práctica de DRAM 3D de alta densidad y bajo consumo
Presentación de la tecnología de los transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables.
Communicado publicado en el 12/12/2025 - 10:30
NetApp ofrece innovaciones en su cartera de productos para hacer frente al aumento de los costos energéticos y a los objetivos de sostenibilidad de las organizaciones mundiales
La empresa se compromete a reducir en un 50% la intensidad de las emisiones de gases de efecto invernadero de alcance 3 y a establecer un objetivo científico para los alcances 1 y 2 para 2030.
Communicado publicado en el 01/11/2022 - 18:26
Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)
Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene ...
Communicado publicado en el 11/12/2024 - 09:30
El N-channel LDMOS, Totalmente Aislado, Recientemente Desarrollado por Toshiba Comprende Robustez de Alta HBM y Alto Voltaje de Ruptura a Polarización Negativa en Semiconductores de Potencia Analógica de Generación de Micrones 0,13.
Toshiba (TOKYO: 6502) ha desarrollado tecnología N-channel LDMOS totalmente aislada que soporta el intercambio entre el voltaje de corte a la polarización negativa (BVnb) y robustez HBM, una medida de resistencia a ...
Communicado publicado en el 02/06/2017 - 15:18
Toshiba Desarrolla Conversores DC-DC con Salida Múltiple de Alta Eficiencia y Amplio Rango de Carga para Aplicaciones de Internet de las Cosas (Internet of Things, IoT).
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de un conversor DC-DC con inductor único y salida múltiple (Single-Inductor Multiple-Output, SIMO) en un chip para los dispositivos de IoT que ...
Communicado publicado en el 10/11/2016 - 09:12
Toshiba lanza un SoC Bluetooth® de bajo consumo con un consumo de corriente de recepción de 3,2 mA y corriente de transmisión de 3,5 mA
Toshiba (TOKIO:6502) desarrolló un sistema en un chip (System-on-Chip, SoC) Bluetooth® de bajo consumo 1 compatible con la versión 4.2 que reduce la corriente a un 50 % de los productos actuales2 para ...
Communicado publicado en el 08/11/2016 - 07:51