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El Proyecto NEDO elige a Kioxia para desarrollar la tecnología de fabricación de memorias innovadoras en el marco del proyecto de infraestructura de sistemas post-5G
Kioxia Corporation, empresa líder mundial en soluciones de memoria, anuncia que ha sido designada por la agencia nacional de investigación y desarrollo de Japón, New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO), para poner en ...
Communicado publicado en el 06/11/2024 - 11:31
Kioxia Holdings Corporation gana el premio a la OPV del año en la categoría Renta variable en los DealWatch Awards 2024
Kioxia Holdings Corporation (TOKIO:285A), líder mundial en soluciones de memoria, anuncia que ha ganado el premio a la OPV del año en la categoría Renta variable en los DealWatch Awards 2024, organizados por DealWatch, la fuente más autorizada ...
Communicado publicado en el 23/05/2025 - 10:56
Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)
Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene ...
Communicado publicado en el 11/12/2024 - 09:30
Kioxia donará 100 millones de yenes en asistencia humanitaria al pueblo de Ucrania
Kioxia Corporation anunció hoy que donará 100 millones de yenes para apoyar la asistencia humanitaria y el socorro a aquellos afectados por el actual conflicto en Ucrania. La donación se realizará a través de ACNUR, la agencia de refugiados de ...
Communicado publicado en el 27/04/2022 - 18:41
Toshiba Memory cambiará de marca a “Kioxia” en octubre
El nombre único de la marca combina la palabra japonesa para “memoria” y la palabra griega para “valor”.
Communicado publicado en el 18/07/2019 - 18:03
Kioxia presenta la memoria Flash QLC de 2 Tb de mayor capacidad del sector con la última tecnología BiCS FLASH™
Un logro como resultado de innovaciones arquitectónicas revolucionarias en tecnología de escalado y pegado de obleas..
Communicado publicado en el 03/07/2024 - 13:20
Kioxia presentará tecnologías de memoria emergentes en la Conferencia IEDM 2024
Aplicaciones innovadoras para IA, informática y sistemas de almacenamiento.
Communicado publicado en el 22/10/2024 - 07:26
Kioxia y Western Digital anuncian la última memoria flash 3D
Las innovaciones de arquitectura revolucionaria en la tecnología de escalamiento y unión de obleas es un gran avance en el rendimiento, la densidad y la eficacia en función del costo.
Communicado publicado en el 31/03/2023 - 10:14
Kioxia consigue crear un prototipo de módulo de memoria flash de gran capacidad (5 TB) y alto ancho de banda (64 GB/s)
Permite el procesamiento avanzado de IA en la periferia para impulsar la transformación inteligente de las industrias..
Communicado publicado en el 20/08/2025 - 10:25
Kioxia y Western Digital invierten conjuntamente en una nueva planta de fabricación de memoria flash en la planta de Yokkaichi
La producción inicial comenzará en el otoño del calendario 2022.
Communicado publicado en el 15/04/2022 - 15:33
Kioxia desarrolla la nueva estructura celular de memoria flash semicircular 3D "Twin BiCS FLASH"
- Utilizando la nueva tecnología de puerta dividida para aumentar la densidad de bits -.
Communicado publicado en el 12/12/2019 - 23:03
Kioxia y Sandisk presentan la tecnología de memoria flash 3D de última generación que alcanza una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s
Las empresas presentan una vista previa de la tecnología de memoria flash 3D de 10a generación que establece un nuevo punto de referencia en cuanto a rendimiento, eficiencia energética y densidad de bits.
Communicado publicado en el 20/02/2025 - 09:19
Kioxia anuncia la finalización de la nueva nave de fabricación de memorias flash en la planta de Kitakami
El nuevo edificio administrativo entrará en funcionamiento en noviembre..
Communicado publicado en el 01/08/2024 - 08:10
Kioxia y MoDeCH desarrollan un sistema de sondeo tridimensional
Medición de las características de alta frecuencia para estructuras tridimensionales hasta 110 GHz.
Communicado publicado en el 27/09/2024 - 10:09