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NTT: Realización de una fuente de luz cuántica modularizada hacia computadoras cuánticas ópticas universales a gran escala tolerantes a fallas
NTT Corporation (NTT, presidente y director ejecutivo: Jun Sawada, Chiyoda-ku, Tokio) (TOKIO: 9432) en cooperación con la Universidad de Tokio (presidente: Teruo Fujii, Bunkyo-ku, Tokio) y RIKEN (presidente: Hiroshi Matsumoto, Wako-shi, Saitama) ...
Communicado publicado en el 25/12/2021 - 04:26
Toshiba Desarrolla una SRAM de Fuga Extremadamente Baja (XLL SRAM), que Permite que una MCU de Baja Potencia se Encienda Rápidamente desde el Modo 'Inactivo Prolongado'
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de una Memoria de acceso aleatorio estática (Static Random Access Memory, SRAM) de 65 nm con una fuga extremadamente baja (XLL SRAM) apropiada para la RAM ...
Communicado publicado en el 12/02/2014 - 19:44
Murata anuncia el primer condensador MLCC C0G de 15 nF/1,25 kV del mundo en tamaño 1210 (pulgada)
Murata Manufacturing Co., Ltd. (TOKYO: 6981) (ISIN: JP3914400001) anuncia el lanzamiento y la producción en serie de su condensador cerámico multicapa (MLCC) con capacitancia de 15 nF, voltaje nominal de 1,25 kV y características C0G, en el ...
Communicado publicado en el 03/12/2025 - 04:43
Toshiba Electronic Devices & Storage Presentará un Receptor de Baja Tensión de 5 GHz para Redes de Área Local Inalámbricas de Última Generación
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) anunció hoy el desarrollo de un receptor de baja tensión de 5 GHz para redes de área local (Local Area Network, LAN) inalámbricas IEEE802.11ax1. ...
Communicado publicado en el 15/09/2017 - 23:56
Toshiba Recibe Licencias para la Tecnología Programable solo de Metal de BaySand
- Las dos compañías han acordado resolver las disputas sobre las licencias -.
Communicado publicado en el 22/02/2016 - 16:45
Panasonic Desarrolla Película de Resina y Materiales de Aplicación para Electrónica Extensible
Panasonic Corporation anunció hoy que la compañía ha desarrollado una película de resina de polímero suave, flexible y extensible [1] utilizando su tecnología patentada de resina extensible. La compañía ...
Communicado publicado en el 28/12/2015 - 10:00
Toshiba Lanza el Controlador de Motor de Paso IC Unipolar y Dual
-Paquete pequeño que adopta el proceso de alto voltaje de 80 V (potencia máxima absoluta)-.
Communicado publicado en el 08/08/2014 - 19:31
Toshiba y NuFlare galardonados con el 59.o Okochi Memorial Grand Production Prize (Gran Premio Memorial de Producción Okochi)
--Por el Desarrollo y Aplicación de Escritores de Máscaras de Integración a Gran Escala (Large Scale Integration, LSI)--.
Communicado publicado en el 13/02/2013 - 12:51
Power Integrations brinda detalles de la tecnología PowiGaN de 1250 V y 1700 V para centros de datos de IA 800 VDC de próxima generación
La empresa colabora con NVIDIA en la arquitectura de alimentación 800 VDC; el informe técnico nuevo muestra las ventajas de la tecnología PowiGaN de 1250 V en comparación con GaN de 650 V y SiC de 1200 V.
Communicado publicado en el 14/10/2025 - 20:18
Pragmatic da la bienvenida a SAR la Princesa Real a Pragmatic Park para la inauguración de la primera planta de fabricación de obleas semiconductoras de 300 mm del Reino Unido
Hoy, Pragmatic Semiconductor tuvo el honor de recibir a SAR la Princesa Real para inaugurar oficialmente la primera línea de fabricación de obleas semiconductoras de 300 mm del Reino Unido en Pragmatic Park, en Durham. Esta avanzada instalación ...
Communicado publicado en el 27/03/2024 - 16:44
Panasonic: Primer*1 Sensor de Imagen CMOS Orgánico en el Mundo con Sensibilidad a la Luz Infrarroja Cercana Controlada Eléctricamente
Panasonic Corporation anunció hoy que desarrolló una nueva tecnología: el control eléctrico de la sensibilidad a la luz infrarroja cercana (NIR, por sus siglas en inglés) del mismo píxel en un sensor de imagen ...
Communicado publicado en el 10/02/2017 - 11:01
Toshiba desarrolla la primera memoria flash NAND Apilada de 16 Die con Tecnología TSV
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera*1 memoria flash NAND apilada de 16 die (máx.) que utiliza tecnología de vías que atraviesan el silicio (Through Silicon Via, TSV). El ...
Communicado publicado en el 06/08/2015 - 11:11
NTT logra la transmisión óptica más rápida del mundo, con más de 2 Tbits/s por longitud de onda
Una tecnología de red de comunicaciones de gran capacidad para apoyar la IOWN y la 6G.
Communicado publicado en el 18/10/2022 - 03:52
Goodix Invisible Fingerprint Sensor (IFS™) impulsa el concepto de panel de pantalla integrada de Huawei P10 y P10 Plus
Goodix (Bolsa de Shangai:603160), desarrollador líder mundial de tecnologías de interfaz humana y biométricas para dispositivos móviles, ha anunciado que Huawei P10 y P10 Plus, teléfonos inteligentes insignia de ...
Communicado publicado en el 28/02/2017 - 14:49
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