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Toshiba Lanza Unidades de Disco Híbridas de Estado Sólido de Nueva Generación
La nueva serie SSHD de Toshiba lanza las capacidades NAND, que ofrecen capacidad y velocidad.
Communicado publicado en el 08/01/2015 - 10:50
Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)
Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene ...
Communicado publicado en el 11/12/2024 - 09:30
La plantilla de Kioxia recibe el Premio de Ciencia y Tecnología del Ministerio de Educación, Cultura, Deporte, Ciencia y Tecnología de Japón
Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anuncia hoy que sus empleados han recibido el Premio de Ciencia y Tecnología que concede el Ministerio de Educación, Cultura, Deporte, Ciencia y Tecnología por la invención de un ...
Communicado publicado en el 19/04/2023 - 17:04
El Proyecto NEDO elige a Kioxia para desarrollar la tecnología de fabricación de memorias innovadoras en el marco del proyecto de infraestructura de sistemas post-5G
Kioxia Corporation, empresa líder mundial en soluciones de memoria, anuncia que ha sido designada por la agencia nacional de investigación y desarrollo de Japón, New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO), para poner en ...
Communicado publicado en el 06/11/2024 - 11:31
Kioxia nombra Director financiero a Yoshihiko Kawamura
Kioxia Holdings Corporation (TOKYO:285A), líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy el nombramiento de Yoshihiko Kawamura como Director financiero (CFO), a partir del 1 de abril de 2026. El Sr. Kawamura aporta a Kioxia una amplia ...
Communicado publicado en el 27/02/2026 - 16:31
Kioxia presentará tecnologías de memoria emergentes en la Conferencia IEDM 2024
Aplicaciones innovadoras para IA, informática y sistemas de almacenamiento.
Communicado publicado en el 22/10/2024 - 07:26
Kioxia y Sandisk presentan la tecnología de memoria flash 3D de última generación que alcanza una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s
Las empresas presentan una vista previa de la tecnología de memoria flash 3D de 10a generación que establece un nuevo punto de referencia en cuanto a rendimiento, eficiencia energética y densidad de bits.
Communicado publicado en el 20/02/2025 - 09:19
ESPECIFICACIÓN DE SD 9: NUEVAS OPORTUNIDADES PARA LAS TARJETAS DE MEMORIA SD COMO MEMORIA SEMIINTEGRADA
Nuevas funciones de seguridad permiten que las tarjetas arranquen dispositivos, administren la memoria de manera segura y cumplan con la norma sobre el derecho a reparar electrónica.
Communicado publicado en el 18/05/2022 - 12:00
microSD EXPRESS: LA TARJETA DE MEMORIA MÁS VELOZ PARA DISPOSITIVOS MÓVILES
microSD Express se une a SD Express al integrar PCIe® y NVMe™ para obtener hasta 985 MB/s de tasa de transferencia con compatibilidad con versiones anteriores.
Communicado publicado en el 25/02/2019 - 08:01
Veritas NetBackup Gana el Premio CODiE 2016 por Mejor Almacenamiento y Soluciones de Respaldo de SIIA Business Technology
Veritas NetBackup 7.7 gana el prestigioso reconocimiento de la industria.
Communicado publicado en el 22/06/2016 - 21:34
Kioxia y Sandisk anuncian el comienzo de la puesta en marcha de Fab2 en la Planta de Kitakami, en Japón, para satisfacer la demanda del mercado impulsada por la IA
Kioxia Corporation, subsidiaria de Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A) y Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK) anunciaron hoy que comenzó a ponerse en marcha Fab2 (K2), una instalación de fabricación de semiconductores de vanguardia, en la ...
Communicado publicado en el 01/10/2025 - 05:11
Toshiba Es el Ganador del 63.º Premio Okochi Memorial Grand Technology Prize
Innovación para lograr una regla de diseño de alta densidad para memoria Flash NAND de celda de varios bits reduciendo el efecto de acoplamiento de celdas de memoria adyacentes.
Communicado publicado en el 17/02/2017 - 22:34
Toshiba desarrolla la primera memoria flash NAND Apilada de 16 Die con Tecnología TSV
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera*1 memoria flash NAND apilada de 16 die (máx.) que utiliza tecnología de vías que atraviesan el silicio (Through Silicon Via, TSV). El ...
Communicado publicado en el 06/08/2015 - 11:11
Toshiba Mostrará Soluciones de Semiconductores de Tecnología de Punta en la China Hi-Tech Fair ELEXCON 2013
Toshiba Corporation Semiconductor & Storage Products Company (TOKYO: 6502) anunció hoy que mostrará sus soluciones de semiconductores de tecnología de punta en la China Hi-Tech Fair ELEXCON 2013. Toshiba ...
Communicado publicado en el 14/11/2013 - 20:13