Toshiba Desarrolla la Primera BiCS (Memoria Flash Tridimensional de Estructura Apilada) de 48 Capas del Mundo

26/03/2015 - 12:30 por Business Wire
Toshiba Desarrolla la Primera BiCS (Memoria Flash Tridimensional de Estructura Apilada) de 48 Capas del Mundo
Toshiba Desarrolla la Primera BiCS (Memoria Flash Tridimensional de Estructura Apilada) de 48 Capas del Mundo

Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el desarrollo de la primera memoria flash tridimensional de estructura*2 de células apiladas de 48 capas*1 del mundo, denominada BiCS, un dispositivo de 2 bits por célula, de 128 gigabits (16 gigabytes). Los envíos de muestras de los productos que utilizan esta nueva tecnología de proceso comienzan hoy.

The World's First 48-layer BiCS (Three Dimensional Stacked Structure Flash Memory) (Photo: Business  ...

The World's First 48-layer BiCS (Three Dimensional Stacked Structure Flash Memory) (Photo: Business Wire)

BiCS se basa en un proceso de vanguardia de apilamiento de 48 capas, que mejora la confiabilidad de la resistencia escritura/borrado e incrementa la velocidad de escritura, y es apto para su uso en diversas aplicaciones, principalmente en unidades de estado sólido (solid state drives, SSD).

Desde que hiciera el primer anuncio mundial de tecnología para la memoria flash en 3D*3, Toshiba ha continuado el desarrollo para optimizar la producción en masa. Para satisfacer el crecimiento del mercado para 2016 y para el futuro, Toshiba está promoviendo de forma pro-activa la migración hacia la memoria Flash en 3D al desplegar una cartera de productos que pone el énfasis en las aplicaciones de gran capacidad, como las SSD.

Esta compañía está también preparándose para la producción en masa en el nuevo Fab2 en Yokkaichi Operations, su centro de producción para memorias flash NAND. Fab2 está en construcción y se completará en el primer semestre de 2016, a fin de satisfacer la demanda creciente para memorias flash.

*1: Al 26 de marzo de 2015. Estudio de Toshiba.
*2: Una estructura que apila células de memoria flash en dirección vertical desde un plano de silicio y produce una mejora significativa en densidad comparada con la NAND convencional de la memoria flash, en donde las células están dispuestas en una dirección radial en un plano de silicio.
*3: Presentación de Toshiba, 12 de junio de 2007.

Acerca de Toshiba

Toshiba Corporation, una compañía Fortune Global 500, canaliza las capacidades de clase mundial en los productos eléctricos y electrónicos avanzados, y en los sistemas en cinco ámbitos estratégicos de negocios: Energía e Infraestructura, Soluciones Comunitarias, Sistemas y Servicios de Salud, Dispositivos y Componentes Electrónicos, y Productos y Servicios de Estilos de Vida. Guiada por los principios del Compromiso Básico del Grupo Toshiba, “Comprometidos con la Gente, Comprometidos con el Futuro” (Committed to People, Committed to the Future), Toshiba promueve operaciones internacionales para garantizar el “Crecimiento mediante la Creatividad y la Innovación” (Growth Through Creativity and Innovation), y está contribuyendo a lograr un mundo en el que todas las personas vivan en una sociedad segura y cómoda.

Fundada en Tokio en 1875, Toshiba, hoy en día, está en el centro de una red global de más de 590 compañías consolidadas que emplean a más de 200 000 personas en todo el mundo, con ventas anuales que superan los 6,5 billones de yenes (63 000 millones de USD).
Para obtener más información acerca de Toshiba, visite www.toshiba.co.jp/index.htm

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Megumi Genchi / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
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División de Planificación Comercial
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Source(s) : Toshiba Semiconductor & Storage Products Company