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Toshiba Expande su Línea de MOSFET de Potencia para Estaciones de Base y Servidores

Lanza productos de 60V con un desempeño de baja resistencia en encendido de primera clase[1] y conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 28/06/2013 - 15:39

Toshiba: Un dispositivo de estructura innovadora en el MOSFET de bajo consumo para aplicaciones RF/analógicas

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un transistor de alta ganancia de potencia utilizando un proceso compatible con CMOS. El transistor reduce eficazmente el consumo de energía en la ...

Communicado publicado en el 11/06/2013 - 16:20

Toshiba Lanza Circuito Integrado para Precontrolador de Motor con Escobillas para Sistema de Servodirección Eléctrica (“EPS”) para la Industria Automotriz

Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el lanzamiento de “TB9057FG”, un circuito integrado para precontrolador [1]de motor con escobillas mejorado para lograr seguridad funcional y para ser usado en ...

Communicado publicado en el 31/03/2015 - 22:46

Para atender la demanda de productos de administración de alimentación GaN a nivel mundial, EPC se alia con Digi-Key para la distribución a nivel mundial

El distribuidor de componentes electrónicos a nivel mundial Digi-Key Corporation, líder industrial en selección, disponibilidad y entrega de componentes electrónicos, anunció hoy un nuevo inventario de productos ...

Communicado publicado en el 10/10/2013 - 15:30

Toshiba: Compromiso con Dispositivos de Potencia

Toshiba (TOKYO: 6502): Los dispositivos de potencia son productos estratégicos que están a la vanguardia del negocio de los dispositivos discretos. En la electrónica de potencia, el foco de Toshiba ...

Communicado publicado en el 05/04/2013 - 21:35

Panasonic Lanza el Dispositivo de *1 Semiconductor 'PhotoMOS' más Pequeño de la Industria y de Bajo Consumo de Energía

Panasonic Corporation anunció hoy que ha desarrollado el dispositivo de *1 semiconductor más pequeño de la industria, la serie “PhotoMOS” del tipo CC ”[1], el cual logra un bajo consumo de energía y ...

Communicado publicado en el 09/05/2015 - 03:05

Toshiba Lanza Fotoacopladores con Amplificador de Potencia con Paquete SO6L de Baja Altura

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el lanzamiento de fotoacopladores con amplificador de potencia con paquete SO6L de baja altura para usar en la amplificación de IGBT de potencia pequeña a media ...

Communicado publicado en el 28/01/2014 - 18:49

Toshiba Mostrará las Soluciones de Semiconductores de Tecnología de Punta para Sistemas de Motores y de Potencia en TECHNO-FRONTIER 2013

Toshiba Corporation Semiconductor & Storage Products Company anunció hoy que mostrará sus soluciones de semiconductores de tecnología de punta para sistemas de motores y de potencia en TECHNO-FRONTIER 2013. ...

Communicado publicado en el 12/07/2013 - 16:06

ROHM y Toshiba acuerdan colaborar en la fabricación de dispositivos de potencia

El METI reconoce que el plan conjunto favorece un suministro estable y seguro.

Communicado publicado en el 08/12/2023 - 16:00

Toshiba Desarrolla una Nueva Serie de Conjunto de Transistores Utilizando la Última Tecnología de Procesos

Expansión de la cartera del conjunto de transistores altamente eficientes mediante la adopción de DMOS FET [1] para el controlador de salida.

Communicado publicado en el 18/09/2014 - 21:29

Toshiba Desarrolla Transistores de Efecto de Campo de Tunelización para MCU de Ultra Baja Potencia

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de Transistores de Efecto de Campo de Tunelización (Tunneling Field Effect Transistors, TFET) que utilizan un nuevo principio de funcionamiento para ...

Communicado publicado en el 11/09/2014 - 23:00

Toshiba Lanza los Circuitos Integrados (IC) de Conmutador de Antena RF para Teléfonos Inteligentes Compatibles con LTE-Advanced

Contribuye a la mejora del rendimiento de los teléfonos inteligentes mediante el uso del proceso "TaRF6" de última generación.

Communicado publicado en el 11/09/2014 - 04:32

Toshiba Lanza el Controlador de Motor de Paso IC Unipolar y Dual

-Paquete pequeño que adopta el proceso de alto voltaje de 80 V (potencia máxima absoluta)-.

Communicado publicado en el 08/08/2014 - 19:31

Toshiba concluye su nueva planta de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ha organizado una ceremonia para conmemorar la finalización de una nueva instalación de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia y un edificio ...

Communicado publicado en el 23/05/2024 - 10:46