[Tecnologia] MRAM, la memoria mágica.

MRAM, la memoria mágica. http://www.hispamp3.com/noticias/noticia.php?noticia 040518093645 Os presentamos a la MRAM, un nuevo tipo de memoria que revolucionará el mercado, y que dejará obsoletos los tediosos y lentos procesos ...

Mensaje publicado en el 18/05/2004 - 12:46

Toshiba Desarrolla el Controlador de Dispositivo más Rápido del Mundo para Módulo de Memoria Flash NAND Integrada Compatible con la Norma JEDEC UFS Ver.2.0

Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que ha desarrollado el controlador de dispositivo más rápido del mundo para módulos de memoria flash NAND integradas compatible con las normas de Almacenamiento flash ...

Communicado publicado en el 25/02/2014 - 22:17

Kioxia y Sandisk presentan la tecnología de memoria flash 3D de última generación que alcanza una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s

Las empresas presentan una vista previa de la tecnología de memoria flash 3D de 10a generación que establece un nuevo punto de referencia en cuanto a rendimiento, eficiencia energética y densidad de bits.

Communicado publicado en el 20/02/2025 - 09:19

Una nueva tecnología de memoria flash 3D de Kioxia y SanDisk alcanza la mayor densidad de bits de la industria para la memoria NAND QLC

La memoria flash 3D QLC de 10.ª generación representa un gran avance para las arquitecturas de almacenamiento de IA, las plataformas en la nube y las innovaciones que requieren un uso intensivo de datos..

Communicado publicado en el 05/08/2026 - 14:04

Toshiba Desarrolla la Primera BiCS (Memoria Flash Tridimensional de Estructura Apilada) de 48 Capas del Mundo

Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el desarrollo de la primera memoria flash tridimensional de estructura*2 de células apiladas de 48 capas*1 del mundo, denominada BiCS, un dispositivo de 2 bits ...

Communicado publicado en el 26/03/2015 - 12:30

Toshiba desarrolla la primera memoria flash NAND Apilada de 16 Die con Tecnología TSV

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera*1 memoria flash NAND apilada de 16 die (máx.) que utiliza tecnología de vías que atraviesan el silicio (Through Silicon Via, TSV). El ...

Communicado publicado en el 06/08/2015 - 11:11

Kioxia presenta la memoria Flash QLC de 2 Tb de mayor capacidad del sector con la última tecnología BiCS FLASH™

Un logro como resultado de innovaciones arquitectónicas revolucionarias en tecnología de escalado y pegado de obleas..

Communicado publicado en el 03/07/2024 - 13:20

Kioxia desarrolla la nueva estructura celular de memoria flash semicircular 3D "Twin BiCS FLASH"

- Utilizando la nueva tecnología de puerta dividida para aumentar la densidad de bits -.

Communicado publicado en el 12/12/2019 - 23:03

TOSHIBA Desarrolla NANO FLASH(TM)-100 de Alta Velocidad - Memoria Flash para Microcontroladores Basados en el Núcleo del ARM

Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy que desarrolló NANO FLASH™-100, con un acceso mucho más rápido para microcontroladores integrados, basada en la NANO FLASH™ original de Toshiba. ...

Communicado publicado en el 04/02/2013 - 16:09

Kioxia y Western Digital anuncian la última memoria flash 3D

Las innovaciones de arquitectura revolucionaria en la tecnología de escalamiento y unión de obleas es un gran avance en el rendimiento, la densidad y la eficacia en función del costo.

Communicado publicado en el 31/03/2023 - 10:14

Toshiba Memory Corporation anuncia la Memoria flash de 96 capas 3D

La cuarta generación de Toshiba Memory Corporation BiCS FLASH™ agrega capas y aumenta la capacidad.

Communicado publicado en el 28/06/2017 - 13:27

Toshiba Ya Envía Muestras de su Memoria Flash 3D de 64 Capas y 512 Gigabits

-- Mejora su línea con el chip BiCS FLASH™ de mayor capacidad --.

Communicado publicado en el 22/02/2017 - 12:09

Kioxia consigue crear un prototipo de módulo de memoria flash de gran capacidad (5 TB) y alto ancho de banda (64 GB/s)

Permite el procesamiento avanzado de IA en la periferia para impulsar la transformación inteligente de las industrias..

Communicado publicado en el 20/08/2025 - 10:25

Toshiba Memory y Western Digital invertirán en forma conjunta en una planta de fabricación de memoria flash en Kitakami, Japón

La producción inicial comenzará en el año 2020.