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Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene ...

Communicado publicado en el 11/12/2024 - 09:30

El Proyecto NEDO elige a Kioxia para desarrollar la tecnología de fabricación de memorias innovadoras en el marco del proyecto de infraestructura de sistemas post-5G

Kioxia Corporation, empresa líder mundial en soluciones de memoria, anuncia que ha sido designada por la agencia nacional de investigación y desarrollo de Japón, New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO), para poner en ...

Communicado publicado en el 06/11/2024 - 11:31

Kioxia inaugura dos nuevas instalaciones de I+D

Kioxia Corporation ha puesto en marcha oficialmente dos nuevas instalaciones de I+D: el Flagship Building del Campus Tecnológico de Yokohama y el Frente Tecnológico de Shin-Koyasu, que refuerzan la capacidad de investigación y desarrollo de la ...

Communicado publicado en el 01/06/2023 - 17:40

Kioxia presentó el sistema de clasificación de imágenes que implementa IA centrada en la memoria con almacenamiento de alta capacidad en ECCV 2022

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, ha desarrollado un sistema de clasificación de imágenes basado en IA centrada en la memoria, una tecnología de IA que utiliza almacenamiento de alta capacidad. El sistema clasifica ...

Communicado publicado en el 02/11/2022 - 11:52

Kioxia anuncia la ampliación del campus tecnológico de Yokohama y el nuevo centro de investigación para reforzar la investigación y el desarrollo tecnológico y promover la innovación abierta

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, ha anunciado hoy una inversión de 20 000 millones de yenes para ampliar su edificio de desarrollo tecnológico en su campus tecnológico de Yokohama y establecer su nuevo centro de ...

Communicado publicado en el 13/05/2021 - 15:13

Kioxia y Sandisk presentan la tecnología de memoria flash 3D de última generación que alcanza una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s

Las empresas presentan una vista previa de la tecnología de memoria flash 3D de 10a generación que establece un nuevo punto de referencia en cuanto a rendimiento, eficiencia energética y densidad de bits.

Communicado publicado en el 20/02/2025 - 09:19

Kioxia y Western Digital anuncian la última memoria flash 3D

Las innovaciones de arquitectura revolucionaria en la tecnología de escalamiento y unión de obleas es un gran avance en el rendimiento, la densidad y la eficacia en función del costo.

Communicado publicado en el 31/03/2023 - 10:14

KIOXIA y Linus Media Group establecen récord mundial en el cálculo del número pi

Nuevo título de GUINNESS WORLD RECORDS para el valor más preciso del número pi: 300 billones de dígitos calculados utilizando unidades de estado sólido NVMe™ de KIOXIA.

Communicado publicado en el 19/05/2025 - 10:43

Kioxia presentará tecnologías de memoria emergentes en la Conferencia IEDM 2024

Aplicaciones innovadoras para IA, informática y sistemas de almacenamiento.

Communicado publicado en el 22/10/2024 - 07:26

Kioxia desarrolla la nueva estructura celular de memoria flash semicircular 3D "Twin BiCS FLASH"

- Utilizando la nueva tecnología de puerta dividida para aumentar la densidad de bits -.

Communicado publicado en el 12/12/2019 - 23:03

Kioxia consigue crear un prototipo de módulo de memoria flash de gran capacidad (5 TB) y alto ancho de banda (64 GB/s)

Permite el procesamiento avanzado de IA en la periferia para impulsar la transformación inteligente de las industrias..

Communicado publicado en el 20/08/2025 - 10:25

Kioxia y MoDeCH desarrollan un sistema de sondeo tridimensional

Medición de las características de alta frecuencia para estructuras tridimensionales hasta 110 GHz.