GLOBALFOUNDRIES lanza la primera plataforma procesadora ARM Cortex-A9 de 28 nm con la primera compuerta metálica de constante dieléctrica K elevada (High-K) de la industria

En la Conferencia sobre Tecnología Global inaugural realizada hoy, GLOBALFOUNDRIES anunció que ha llegado a la etapa final de diseño de un vehículo calificado basado en el procesador dual ARM® Cortex™-A9 [(LSE: ARM); (Nasdaq: ARMH)], una industria pionera en tecnología de compuerta metálica High-K (High-K Metal Gate, HKMG) de 28 nanómetros (nm). Este vehículo de calificación tecnológica (Technology Qualification Vehicle, TQV) permitirá a GLOBALFOUNDRIES optimizar su proceso HKMG de 28 nm para diseños del cliente basados en el procesador ARM de doble núcleo de próxima generación, lo que proporciona un camino más rápido para presentarlos en el mercado ante los clientes del área de fundiciones que están desarrollando los dispositivos informáticos del mañana.

El TQV desarrollado en conjunto alcanzó la etapa final de diseño en agosto en la planta de fabricación 1 de GLOBALFOUNDRIES en Dresden, Alemania, y fue parte de la colaboración estratégica con ARM anunciada el año pasado. Se esperan los resultados con silicona obtenidos en la planta para fines de 2010.

“Este es un hito significativo en el camino hacia la fabricación de 28 nm de alto volumen y hacia el liderazgo tecnológico en productos de próxima generación, que abarcan desde dispositivos móviles inteligentes hasta aplicaciones con cables de alto rendimiento”, dijo Mojy Chian, vicepresidente sénior de Habilitaciones de Diseño en GLOBALFOUNDRIES. “Trabajando de cerca con ARM en las primeras etapas de la calificación tecnológica, le daremos la posibilidad a nuestros clientes de acercar rápidamente a la producción sus diseños ARM Cortex-A9 con IP físico mediante el establecimiento de un nuevo estándar para el rendimiento y la eficacia de potencia”.

El diseño TQV utiliza un conjunto de servicios de IP físico ARM Cortex-A9 totalmente optimizado, que incluye una completa variedad de circuitos célula estándar, macros de memoria caché de alta velocidad para L1 y memorias de densidad optimizada en otras áreas. Está diseñado para emular un sistema en un chip (system-on-chip, SoC) similar al producto en todos los aspectos, lo que permite un análisis de frecuencia máxima y un tiempo de recuperación breve entre los ciclos de diseño. Una completa variedad de diseño para pruebas (Design for Testability, DFT) permite la correlación entre la silicona y el Programa de simulación con énfasis en circuitos integrados (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis, SPICE) con respecto a los caminos críticos de Cortex-A9 y el mapeo de bit de memorias caché a velocidades de gigahertz.

“A medida que la industria adopta tecnologías de procesos cada vez más avanzados, existe una creciente necesidad de una colaboración más estrecha entre el diseño y la fabricación”, expresó Simon Segars, vicepresidente ejecutivo y gerente general de la división IP Físico de ARM. “La combinación de las soluciones líderes de IP físico de ARM y la experiencia probada de GLOBALFOUNDRIES en la fabricación de alto volumen generará una poderosa plataforma para la innovación. Nuestra sociedad permitirá a los clientes lanzar rápidamente al mercado diseños basados en tecnología ARM de baja potencia con una tecnología HKMG de 28 nm”.

El TQV se basará en una tecnología de alto rendimiento (High Performance, HP) de 28 nm dirigida a las aplicaciones cableadas de alto rendimiento. La colaboración también incluirá la tecnología de alto rendimiento superior (High Performance Plus, HPP) de 28 nm, tanto para las aplicaciones cableadas como móviles de alto rendimiento, y la tecnología de súper baja potencia (Super Low Power, SLP) para aplicaciones para el consumidor y móviles sensibles a la potencia. Todas las tecnologías presentan el innovador enfoque de primera compuerta hacia HKMG. El enfoque es superior a otras soluciones HKMG de 28 nm, tanto en escalabilidad como en fabricación, y ofrece un chip y un costo sustancialmente menores, así como la compatibilidad con elementos de diseño y flujos de procesos probados de nodos de tecnología previa.

En primer lugar, GLOBALFOUNDRIES y ARM dieron a conocer los detalles de su tecnología de avanzada de plataforma SoC en el tercer trimestre de 2009. Las compañías proyectan que la plataforma de fabricación del nuevo chip permitirá un incremento del 40 por ciento en el desempeño informático, una disminución del 30 por ciento en el consumo de energía y un incremento del 100 por ciento en batería de reserva, en comparación con la generación de tecnología de 40 nm.

ACERCA DE GTC 2010

La Conferencia sobre Tecnología Global inaugural de GLOBALFOUNDRIES ofrece exposiciones destacadas de líderes industriales y presentaciones de miembros sénior de la gerencia de GLOBALFOUNDRIES y de los equipos técnicos, con un énfasis especial en cómo la compañía alcanza su liderazgo de tiempo-volumen aprovechando la colaboración global con clientes y socios. GTC 2010 comienza el miércoles 1.º de septiembre en el Centro de Convenciones Santa Clara, ubicado en el corazón del Silicon Valley de California, y comienza con una serie de eventos “itinerantes” de GTC 2010 que se realizarán en lugares internacionales estratégicos como China, Taiwán, Japón y Europa. Para obtener más información sobre GTC 2010, visite: http://www.globalfoundries.com/gtc2010/.

ACERCA DE GLOBALFOUNDRIES

GLOBALFOUNDRIES es la primera empresa de fundición semiconductora de servicio completo del mundo, con una huella tecnológica y de fabricación verdaderamente global. Lanzada en marzo de 2009 a través de una asociación entre AMD [NYSE: AMD] y Advanced Technology Investment Company (ATIC), GLOBALFOUNDRIES brinda una combinación única de tecnología de avanzada, excelencia de fabricación y operaciones globales. Con la integración de Chartered en enero de 2010, GLOBALFOUNDRIES expandió significativamente su capacidad y habilidad de brindar los mejores servicios de fundición de rango medio a fundición de vanguardia. GLOBALFOUNDRIES tiene su sede central en Silicon Valley, con operaciones de fabricación en Singapur y Alemania, y una nueva planta de avanzada que se encuentra en construcción en Saratoga County, New York. Estos sitios están respaldados por la red global de investigación y desarrollo (Research & Development, R&D), habilitación de diseño y respaldo al cliente en Singapur, China, Taiwán, Japón, Estados Unidos, Alemania y el Reino Unido.

Para obtener más información sobre GLOBALFOUNDRIES, visite http://www.globalfoundries.com.

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