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Toshiba Celebra la Inauguración de su Nueva Planta de Semiconductores en Tailandia
-- Va a reubicar el ensamblado discreto en el nuevo centro --.
Communicado publicado en el 29/08/2013 - 21:17
Toshiba inicia la construcción de la segunda fase de las instalaciones de fabricación de semiconductores n.° 5 en Yokkaichi
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) realizó hoy la ceremonia de puesta de la piedra fundamental en preparación para el inicio de la construcción de la Fase 2 de Fab 5, las instalaciones de fabricación de vanguardia ...
Communicado publicado en el 23/08/2013 - 18:15
Las Plantas de Fabricación de Toshiba Galardonadas con los Importantes GOOD FACTORY AWARDs de la Asociación de Gestión de Japón
Toshiba Corporation anunció hoy que dos de sus plantas de producción fueron galardonadas con premios importantes en los GOOD FACTORY AWARDs 2013 de la Asociación de Gestión de Japón (Japan Management ...
Communicado publicado en el 22/08/2013 - 11:53
Toshiba lanza optoacopladores de salida tipo transistor de baja corriente de alimentación
Contribuye al bajo consumo de energía.
Communicado publicado en el 05/08/2013 - 15:17
Toshiba lanza un IPD para conmutador de baja tensión de 1 canal con la función de diagnóstico integrado
Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el lanzamiento del “TPD1054F”, un dispositivo inteligente de energía (intelligent power device, IPD) para conmutador de baja tensión de 1 canal con funciones de ...
Communicado publicado en el 02/08/2013 - 08:48
Toshiba Apoyará a los Desarrolladores de Aplicaciones y Servicios para "FlashAir(TM)" con el Sitio Web “FlashAir Developers” (Desarrolladores de FlashAir)
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que proporcionará información técnica a los desarrolladores de aplicaciones y servicios de “FlashAirTM”, la tarjeta de memoria SDHC con funcionalidad LAN ...
Communicado publicado en el 01/08/2013 - 07:44
Toshiba y Amkor Technology Completan la Adquisición por Parte de Amkor de las Operaciones de Prueba y Empaque de Semiconductores de Toshiba en Malasia
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) y Amkor Technology, Inc. (Nasdaq: AMKR) anunciaron hoy que las empresas completaron la adquisición por parte de Amkor de Toshiba Electronics Malaysia Sdn. Bhd. (“TEM”), la ...
Communicado publicado en el 01/08/2013 - 02:57
Toshiba y Amkor Technology Completan la Adquisición por Parte de Amkor de las Operaciones de Prueba y Empaque de Semiconductores de Toshiba en Malasia
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) y Amkor Technology, Inc. (Nasdaq: AMKR) anunciaron hoy que las empresas completaron la adquisición por parte de Amkor de Toshiba Electronics Malaysia Sdn. Bhd. (“TEM”), la ...
Communicado publicado en el 31/07/2013 - 21:02
Toshiba Presenta LED Blanco Tipo Subvatio
Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el lanzamiento de diodos emisores de luz (Light-emitting diode, LED) blancos fabricados con proceso de nitruro de galio sobre silicio (GaN-on-Si) . Los LED son de ...
Communicado publicado en el 30/07/2013 - 09:27
Toshiba Lanzará MOSFET ultra compactos para los circuitos de carga de alta corriente de dispositivos móviles
Se amplía la serie para los paquetes de disipación de alta potencia.
Communicado publicado en el 29/07/2013 - 12:07
Toshiba lanza optoacopladores de 15 Mbps de bajo consumo de energía
Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy que ha lanzado optoacopladores, “TLP2361” y “TLP2161”, que combinan comunicación de alta velocidad (15 Mbps) con bajo consumo de energía. La producción en ...
Communicado publicado en el 26/07/2013 - 15:20
Toshiba Lanza un Módulo Sensor de Imagen por Contacto con una Velocidad Más Rápida de Transferencia de Datos
Soporta Aplicaciones de Reconocimiento de Billetes de Alta Velocidad y Alta Precisión para el Mercado Chino.
Communicado publicado en el 25/07/2013 - 21:23
Toshiba Lanza la Serie "πMOS VIII" de MOSFET de Alta Tensión
Reduce la resistencia en encendido en aproximadamente un 24 %.
Communicado publicado en el 22/07/2013 - 08:36
Toshiba introduce la serie MOSFET “DTMOS IV” superacomplamiento para sistema de 650 V
Realiza un desempeño de baja resistencia de encendido de primer nivel1.
Communicado publicado en el 18/07/2013 - 15:03
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