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WISeKey (SIX: WIHN) adquirirá el negocio de circuitos integrados y semiconductores para IoT de INSIDE Secure (Euronext Paris: INSD)
Creación de la primera plataforma de ciberseguridad de confianza integral, de extremo a extremo, para personas y objetos Brinda considerables oportunidades de venta cruzada con productos complementarios ...
Communicado publicado en el 19/05/2016 - 17:00
Panasonic Lanza el Dispositivo de *1 Semiconductor 'PhotoMOS' más Pequeño de la Industria y de Bajo Consumo de Energía
Panasonic Corporation anunció hoy que ha desarrollado el dispositivo de *1 semiconductor más pequeño de la industria, la serie “PhotoMOS” del tipo CC ”[1], el cual logra un bajo consumo de energía y ...
Communicado publicado en el 09/05/2015 - 03:05
Directores ejecutivos de compañías líderes de dispositivos móviles darán conferencias magistrales en el Congreso Mobile World Shanghái 2016
La GSMA anuncia nuevos expositores, patrocinadores y programas.
Communicado publicado en el 18/05/2016 - 01:33
VeriSilicon y Google lanzan conjuntamente la PI de código abierto Coral NPU
Dirigida a aplicaciones LLM en el perímetro; pretende acelerar el desarrollo del ecosistema de IA en el perímetro.
Communicado publicado en el 14/11/2025 - 14:04
Concluye la mayor edición de la Feria de Alta Tecnología de China (CHTF) en Shenzhen, China
Una plataforma de exposición y comercio de renombre para conocer las tendencias de la alta tecnología y atraer financiación..
Communicado publicado en el 21/11/2022 - 20:04
Verizon Wireless, Ericsson y Sequans finalizan el ensayo de redes y dispositivos de categoría 1 LTE
Se prevé que CAT1 permita la proliferación de dispositivos M2M e IoT móviles en redes LTE.
Communicado publicado en el 02/03/2015 - 18:40
VeriSilicon presenta la plataforma de IP inalámbrica FD-SOI para diversas aplicaciones de IoT y electrónica de consumo
Ofrecer soluciones de alta integración, bajo consumo de energía y probadas en silicio para varios estándares inalámbricos.
Communicado publicado en el 24/09/2025 - 23:25
Huawei revela el futuro de la Inteligencia Artificial (IA) móvil en IFA 2017
El Director Ejecutivo Richard Yu presenta el Kirin 970, primer procesador móvil que soporta inteligencia artificial de Huawei.
Communicado publicado en el 02/09/2017 - 19:36
VeriSilicon presenta sus últimas aplicaciones de propiedad intelectual de bajo consumo en Embedded World 2024
Innovaciones de nueva generación para diferentes casos de aplicación.
Communicado publicado en el 09/04/2024 - 15:07
El SoC de AIoT de perímetro basado en RISC-V de Canaan adoptó las IP de ISP y GPU de VeriSilicon
Integración de la cartera de IP de procesamiento de píxeles de VeriSilicon en el chip K230 de alta precisión y baja latencia.
Communicado publicado en el 14/03/2024 - 14:48
Kioxia recibe el premio a la innovación 2022 del programa National Commendation for Invention
Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy que ha recibido el premio a la innovación 2022 del programa National Commendation for Invention, por la Invención de una optimización del método de lectura para memorias ...
Communicado publicado en el 01/06/2022 - 19:48
Alphawave Semi lidera el silicio personalizado con tecnología chiplet para IA generativa y cargas de trabajo de centros de datos con exitosas pruebas de 3 nm de HBM3 y UCIe IP
La exhaustiva cartera de IP en la plataforma de 3 nm compatible con chiplets acelera el movimiento de datos masivos generados por IA en infraestructuras con capacidad de cálculo, de memoria y de red..
Communicado publicado en el 10/07/2023 - 21:23
ZTE anuncia nuevo dispositivo de punto de acceso móvil CAT6 avanzado y alta velocidad LTE
– ZTE Flare es el primer dispositivo de datos con el módem de cuarta generación Qualcomm Gobi 9x30 4G LTE anunciado en el mundo –.
Communicado publicado en el 26/02/2014 - 03:33
Toshiba Comienza la Producción Masiva de las Primeras Memorias Flash NAND 15 nm
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy que desarrolló la primera tecnología de proceso de 15 nanómetros (nm)*1 del mundo, que se aplicará a memorias NAND de 2 bit por celda y 128 gigabit (16 ...
Communicado publicado en el 23/04/2014 - 09:39
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