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Murata inicia la primera producción en masa del mundo de un condensador cerámico multicapa de 47 μF con un tamaño 0402
Murata Manufacturing Co., Ltd. (TOKIO: 6981) (ISIN: JP3914400001) ha iniciado la primera producción en masa del mundo de condensadores cerámicos multicapa (MLCC) 0402 (pulgadas) (1,0 mm × 0,5 mm) con una capacitancia de 47 μF*. Esta nueva ...
Communicado publicado en el 10/07/2025 - 10:28
Dialog Semiconductor Plc: certificación de FCC para el transmisor de carga inalámbrico de potencia a distancia de Energous abre paso a una completa hoja de ruta de una solución de conjunto de chips del sistema ...
La aprobación de FCC valida la carga inalámbrica remota de WattUp(R) y permite que Dialog acelere la producción masiva de conjunto de chips.
Communicado publicado en el 08/01/2018 - 22:41
Digi-Key Corporation firma acuerdo de distribución global con Packet Digital
El distribuidor a nivel mundial de componentes electrónicos Digi-Key Corporation, reconocido por ingenieros de diseño de la industria como el proveedor con la selección más amplia de componentes ...
Communicado publicado en el 04/04/2012 - 15:30
Toshiba: Un dispositivo de estructura innovadora en el MOSFET de bajo consumo para aplicaciones RF/analógicas
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un transistor de alta ganancia de potencia utilizando un proceso compatible con CMOS. El transistor reduce eficazmente el consumo de energía en la ...
Communicado publicado en el 11/06/2013 - 16:20
NTT: Realización de una fuente de luz cuántica modularizada hacia computadoras cuánticas ópticas universales a gran escala tolerantes a fallas
NTT Corporation (NTT, presidente y director ejecutivo: Jun Sawada, Chiyoda-ku, Tokio) (TOKIO: 9432) en cooperación con la Universidad de Tokio (presidente: Teruo Fujii, Bunkyo-ku, Tokio) y RIKEN (presidente: Hiroshi Matsumoto, Wako-shi, Saitama) ...
Communicado publicado en el 25/12/2021 - 04:26
Toshiba Desarrolla una SRAM de Fuga Extremadamente Baja (XLL SRAM), que Permite que una MCU de Baja Potencia se Encienda Rápidamente desde el Modo 'Inactivo Prolongado'
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de una Memoria de acceso aleatorio estática (Static Random Access Memory, SRAM) de 65 nm con una fuga extremadamente baja (XLL SRAM) apropiada para la RAM ...
Communicado publicado en el 12/02/2014 - 19:44
Murata anuncia el primer condensador MLCC C0G de 15 nF/1,25 kV del mundo en tamaño 1210 (pulgada)
Murata Manufacturing Co., Ltd. (TOKYO: 6981) (ISIN: JP3914400001) anuncia el lanzamiento y la producción en serie de su condensador cerámico multicapa (MLCC) con capacitancia de 15 nF, voltaje nominal de 1,25 kV y características C0G, en el ...
Communicado publicado en el 03/12/2025 - 04:43
Toshiba Electronic Devices & Storage Presentará un Receptor de Baja Tensión de 5 GHz para Redes de Área Local Inalámbricas de Última Generación
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) anunció hoy el desarrollo de un receptor de baja tensión de 5 GHz para redes de área local (Local Area Network, LAN) inalámbricas IEEE802.11ax1. ...
Communicado publicado en el 15/09/2017 - 23:56
Toshiba Recibe Licencias para la Tecnología Programable solo de Metal de BaySand
- Las dos compañías han acordado resolver las disputas sobre las licencias -.
Communicado publicado en el 22/02/2016 - 16:45
Panasonic Desarrolla Película de Resina y Materiales de Aplicación para Electrónica Extensible
Panasonic Corporation anunció hoy que la compañía ha desarrollado una película de resina de polímero suave, flexible y extensible [1] utilizando su tecnología patentada de resina extensible. La compañía ...
Communicado publicado en el 28/12/2015 - 10:00
Toshiba Lanza el Controlador de Motor de Paso IC Unipolar y Dual
-Paquete pequeño que adopta el proceso de alto voltaje de 80 V (potencia máxima absoluta)-.
Communicado publicado en el 08/08/2014 - 19:31
Toshiba y NuFlare galardonados con el 59.o Okochi Memorial Grand Production Prize (Gran Premio Memorial de Producción Okochi)
--Por el Desarrollo y Aplicación de Escritores de Máscaras de Integración a Gran Escala (Large Scale Integration, LSI)--.
Communicado publicado en el 13/02/2013 - 12:51
Power Integrations brinda detalles de la tecnología PowiGaN de 1250 V y 1700 V para centros de datos de IA 800 VDC de próxima generación
La empresa colabora con NVIDIA en la arquitectura de alimentación 800 VDC; el informe técnico nuevo muestra las ventajas de la tecnología PowiGaN de 1250 V en comparación con GaN de 650 V y SiC de 1200 V.
Communicado publicado en el 14/10/2025 - 20:18
Panasonic: Primer*1 Sensor de Imagen CMOS Orgánico en el Mundo con Sensibilidad a la Luz Infrarroja Cercana Controlada Eléctricamente
Panasonic Corporation anunció hoy que desarrolló una nueva tecnología: el control eléctrico de la sensibilidad a la luz infrarroja cercana (NIR, por sus siglas en inglés) del mismo píxel en un sensor de imagen ...
Communicado publicado en el 10/02/2017 - 11:01
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