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Rochester Electronics e Intelligent Memory garantizan la disponibilidad de las soluciones de almacenamiento heredadas
Una fuente continua de productos DRAM y NAND maduros.
Communicado publicado en el 25/03/2024 - 14:00
Rochester Electronics se asocia con SkyHigh Memory Ltd.
Rochester Electronics y SkyHigh Memory han llegado a un acuerdo para ofrecer soporte continuo para tecnologías NAND antiguas.
Communicado publicado en el 15/08/2023 - 13:00
Kioxia y Sandisk inician la producción de memorias flash 3D de décima generación en la Fab2 de la planta de Kitakami
Las empresas destacan los avances en la expansión de la infraestructura de fabricación de K2 para responder a la creciente demanda de memoria flash NAND.
Communicado publicado en el 03/07/2026 - 19:42
Toshiba Desarrolla Circuitos de Procesamiento de Señales Mixtas Analógicas y Digitales de Dominio Temporal
- Para reducir un 38 % del circuito de corrección de errores de memoria flash NAND -.
Communicado publicado en el 21/02/2013 - 21:02
Phison abre el camino a la implementación a gran escala de la IA en todos los sectores
Creación de un ecosistema con Pascari aiDAPTIV™.
Communicado publicado en el 03/06/2026 - 15:54
Phison colabora con Intel para llevar las cargas de trabajo de IA locales de gran tamaño a plataformas AI PC de Intel
Pascari aiDAPTIV™ de Phison elimina las limitaciones de memoria locales en los PC cliente para posibilitar aplicaciones de IA agéntica y modelos de IA MoE más grandes.
Communicado publicado en el 02/06/2026 - 20:32
Toshiba y SanDisk Celebran la Apertura de la Segunda Fase de Fab 5 y el Comienzo de la Construcción de la Nueva Planta de Fabricación de Semiconductores Fab 2, en Yokkaichi, Japón
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) y SanDisk Corporation (NASDAQ:SNDK) celebraron hoy la apertura de la segunda fase de la planta de fabricación de semiconductores Nº. 5 (Fab 5) y el inicio de la construcción ...
Communicado publicado en el 09/09/2014 - 07:16
Toshiba y SanDisk Anuncian el Inicio de la Instalación de Equipos en la Nueva Fab 2 de Yokkaichi
Se Firmaron los Acuerdos Definitivos para la Nueva Fab 2.
Communicado publicado en el 21/10/2015 - 15:40
Solidigm presenta la D5-P5430: una unidad SSD para centros de datos con excelente densidad, rendimiento y valor
La nueva unidad de almacenamiento de estado sólido (SSD) reduce el costo total de propiedad hasta en un 27 % y mejora la sostenibilidad de los centros de datos..
Communicado publicado en el 16/05/2023 - 14:00
Toshiba Memory y Western Digital celebran la apertura de Fab 6 y Memory R&D Center en Yokkaichi, Japón
Toshiba Memory Corporation y Western Digital Corporation (NASDAQ: WDC) celebraron hoy la inauguración de la nueva planta de fabricación de semiconductores Fab 6 y el Memory R&D Center, en las operaciones de ...
Communicado publicado en el 19/09/2018 - 23:14
Estrategia de Negocios de Almacenamiento de Toshiba
Innovación Total en Almacenamiento.
Communicado publicado en el 05/04/2013 - 09:46
Solidigm presenta la SSD PCIe de mayor capacidad del mundo para el almacenamiento masivo de datos desde el núcleo hasta el perímetro
Se ofrece en capacidades de 7,68 TB a 61,44 TB.
Communicado publicado en el 20/07/2023 - 15:00
Kioxia presentará tecnologías de memoria emergentes en la Conferencia IEDM 2024
Aplicaciones innovadoras para IA, informática y sistemas de almacenamiento.
Communicado publicado en el 22/10/2024 - 07:26
Solidigm amplía el liderazgo de su cartera de unidades SSD de inteligencia artificial con las ultrarrápidas incorporaciones a su línea de productos D7
Las SSD Solidigm™ D7-PS1010 y D7-PS1030 están fabricadas para turboalimentar las exigentes cargas de trabajo modernas y alimentar las etapas más críticas para el rendimiento de la canalización de datos de IA.
Communicado publicado en el 07/08/2024 - 04:41
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