VeriSilicon ha obtenido la certificación Bluetooth 5.3 para su solución completa de Bluetooth Low Energy

VeriSilicon (688521.SH) ha anunciado hoy que su solución completa de Bluetooth Low Energy (BLE) ha obtenido la certificación Bluetooth 5.3 otorgada por Bluetooth SIG. Esta solución completa de BLE integra la IP de radiofrecuencia (RF) desarrollada por VeriSilicon, la IP de banda base y protocolos de software, ofreciendo una solución integral conforme a la versión 5.3 de la especificación principal de Bluetooth. La solución atiende a varios sectores del Internet de las cosas (IoT), como industrial, automovilístico, domótica, ciudades inteligentes y sanitario, empoderando a los clientes para reducir significativamente el tiempo de diseño, mitigar riesgos, reducir costos y acelerar la comercialización de sus productos.

La versión 5.3 de la especificación principal de Bluetooth introduce mejoras a la especificación BLE, incluidas la conexión de tasa baja, la publicidad periódica y la clasificación de canales, mejorando por tanto la coexistencia inalámbrica y la seguridad de los productos con Bluetooth. La solución completa de BLE de VeriSilicon se basa en un nodo de procesos FD-SOI de 22 nm y la sensibilidad del receptor de RF alcanza un máximo de -96 dBm, mientras el transmisor ofrece una potencia de transmisión máxima de +10 dBm. La solución incorpora una banda base digital de baja potencia, para modos de ahorro energético multinivel que reducen de manera eficaz el consumo energético medio del sistema. Además, su software de protocolo ha obtenido la certificación BQB que garantiza la conexión perfecta con otros dispositivos Bluetooth y es compatible con el marco general de audio del audio Bluetooth de última generación: Low Energy Audio. La solución se puede configurar de distintas maneras, siendo compatible con varias arquitecturas tradicionales de procesadores embebidos, como Arm y RISC-V, y sistemas operativos, e incluye kits de desarrollo de software completos, diseños de referencia de software y herramientas de prueba.

La solución completa de BLE certificada desempeña un papel fundamental en la plataforma de conectividad inalámbrica del IoT de VeriSilicon. La empresa ha desarrollado varias IP de RF de bajo consumo y alto rendimiento e IP de banda base para aplicaciones del IoT con nodo de proceso FD-SOI inferior a 22 nm y otros procesos para dar soporte a distintos estándares técnicos inalámbricos, como Bluetooth, wifi, IoT celular y GNSS multimodo. Estas IP se han integrado con éxito en una variedad de diseños de SoC (system-on-a-chip o sistema en chip) de clientes que están ya produciéndose en masa.

«Obtener la certificación Bluetooth 5.3 para nuestra solución completa de BLE demuestra claramente las capacidades de diseño de tecnologías de conectividad inalámbricas avanzadas y completas de VeriSilicon. En la creación de esta solución hemos establecido una asociación estratégica con un fabricante líder de unidades de control multipunto (MCU, por sus siglas en inglés) a nivel internacional que ya ha lanzado productos MCU de bajo consumo basados en nuestra colaboración», comentó Wiseway Wang, vicepresidente sénior y gerente general de la división de plataformas de silicona personalizadas en VeriSilicon. «Para abordar los diversos escenarios de aplicación en el área del IoT, VeriSilicon ha desarrollado una cartera sólida de productos IP de RF y soluciones de plataformas compatibles con Bluetooth de modo dual, BLE, NB-IoT, GNSS multicanal y 802.11ah, etc. Todas nuestras IP de RF se han verificado satisfactoriamente en chips de prueba. En el futuro, VeriSilicon seguirá profundizando en nuestro lanzamiento de tecnologías de conectividad inalámbrica del IoT para una gama todavía más amplia de escenarios de aplicación de IoT».

Acerca de VeriSilicon

VeriSilicon Microelectronics (Shanghái) Co., Ltd. (VeriSilicon, 688521.SH) se compromete a proporcionar a los clientes servicios integrales de silicio personalizados, completos y basados en plataformas, y servicios de licencias de IP de semiconductores que aprovechan su IP de semiconductores propia. Para más información, visite: www.verisilicon.com

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