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Toshiba Lanza la Serie "πMOS VIII" de MOSFET de Alta Tensión
Reduce la resistencia en encendido en aproximadamente un 24 %.
Communicado publicado en el 22/07/2013 - 08:36
Toshiba Expande la Línea de MOSFET de Canal N de Baja Tensión
La Baja Resistencia de Encendido Reduce la Pérdida de Conducción en Equipos Móviles.
Communicado publicado en el 10/07/2013 - 17:11
Fuji Electric amplía su línea de fuentes de alimentación con la incorporación de la fuente de alimentación de alta tensión
La más reciente innovación del fabricante especialmente diseñada para la industria de las telecomunicaciones.
Communicado publicado en el 16/04/2013 - 11:20
Toshiba Lanzará un Controlador LED Fuera de Línea Aislado AC/DC para Iluminación LED
Unidad de iluminación LED 7 - 20W con alto factor de potencia corregido (power factor corrected, PFC).
Communicado publicado en el 02/04/2013 - 02:05
Toshiba Expande la Línea de IGBT Discretos para Fines Generales e Industriales
El producto TO-3P(N)/50A se agrega a la serie de conmutación robusta de 6.º generación.
Communicado publicado en el 29/03/2013 - 21:12
Toshiba lanza el MOSFET de baja resistencia de encendido N-ch de 100V para aplicaciones en vehículos
Utiliza el paquete "DPACK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.
Communicado publicado en el 06/03/2013 - 17:28
EnVerv Expande sus Actividades en Rusia – Abre una Sucursal en Moscú
Se Considera a Rusia el Centro Principal de Actividades de Infraestructura de Medición Avanzada (Advanced Metering Infrastructure, AMI) al Seguir en Auge en Todo el Mundo las Comunicaciones mediante Cable Eléctrico (PLC, Power ...
Communicado publicado en el 28/01/2013 - 02:37
Toshiba lanza el puente de interfaz de bajo consumo de energía para pantallas LCD
Reduce el consumo de energía un 70 % con respecto al producto actual.
Communicado publicado en el 18/01/2013 - 16:50
NDS Surgical Imaging nombra Consejero delegado a Daniel H. Berry
NDS Surgical Imaging (NDSsi) ha comunicado que Daniel H. Berry ha sido nombrado consejero delegado (CEO). Berry ha sido miembro del Consejo de administración de NDSsi desde 2007, y aporta a la empresa más de 30 años ...
Communicado publicado en el 15/11/2010 - 15:54
VeriSilicon presenta la plataforma de IP inalámbrica FD-SOI para diversas aplicaciones de IoT y electrónica de consumo
Ofrecer soluciones de alta integración, bajo consumo de energía y probadas en silicio para varios estándares inalámbricos.
Communicado publicado en el 24/09/2025 - 23:25
JEOL: Lanzamiento de las versiones (i)/(is) del microscopio electrónico de barrido de emisión de campo tipo Schottky JSM-IT800
- Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo (Field Emission Scanning Electron Microscope, FE-SEM) con plataforma de tecnología de inteligencia (Intelligence Technology, IT) -.
Communicado publicado en el 31/08/2021 - 18:35
La PI serie ISP8200-FS mejorada de VeriSilicon obtiene la certificación de seguridad funcional ASIL B
Brindar sistemas de cámaras automotrices de alto rendimiento de próxima generación.
Communicado publicado en el 05/02/2026 - 18:42
IQM y Scientek Corporation firman un acuerdo de distribución para impulsar la computación cuántica en Taiwán
Las empresas buscan impulsar el crecimiento del ecosistema cuántico local y promover su adopción..
Communicado publicado en el 18/09/2025 - 11:11
El procesador de pantalla IP DC8200-FS de VeriSilicon obtiene la certificación ISO 26262 ASIL B
Impulsa pantallas automotrices más inteligentes y seguras con un rendimiento avanzado.
Communicado publicado en el 08/01/2025 - 20:47
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