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Kioxia desarrolla la tecnología OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM)
Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, acaba de anunciar el desarrollo de la OCTRAM (Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM), un nuevo tipo de DRAM 4F2 , compuesta por un transistor de óxido-semiconductor que tiene ...
Communicado publicado en el 11/12/2024 - 09:30
Toshiba concluye su nueva planta de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ha organizado una ceremonia para conmemorar la finalización de una nueva instalación de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia y un edificio ...
Communicado publicado en el 23/05/2024 - 10:46
La nueva tecnología de simulación de Toshiba para desarrollo basado en modelos acorta los plazos de verificación de los semiconductores para automotores en alrededor de un 90 por ciento
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ha ideado una tecnología de simulación para el desarrollo basado en modelos (model-based development, MBD) que acorta los plazos de verificación de los semiconductores para ...
Communicado publicado en el 21/09/2021 - 19:45
El N-channel LDMOS, Totalmente Aislado, Recientemente Desarrollado por Toshiba Comprende Robustez de Alta HBM y Alto Voltaje de Ruptura a Polarización Negativa en Semiconductores de Potencia Analógica de Generación de Micrones 0,13.
Toshiba (TOKYO: 6502) ha desarrollado tecnología N-channel LDMOS totalmente aislada que soporta el intercambio entre el voltaje de corte a la polarización negativa (BVnb) y robustez HBM, una medida de resistencia a ...
Communicado publicado en el 02/06/2017 - 15:18
Toshiba avanza en el aprendizaje profundo con un procesador neuromórfico de consumo extremadamente bajo
Toshiba Corporation (TOKIO:6502) continúa con su compromiso de la promoción del Internet de las Cosas y el análisis de grandes volúmenes de datos con el desarrollo de una red neuronal de dominio del tiempo (Time ...
Communicado publicado en el 08/11/2016 - 06:20
Dispositivo de Protección contra Descarga Electrostática de Toshiba con Proceso de 0,13 μm para Semiconductor de Energía Analógica Mejora Características de ESD
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha desarrollado un dispositivo de protección contra descarga electrostática para la aplicación de semiconductores de energía analógica. El dispositivo está fabricado con ...
Communicado publicado en el 15/06/2016 - 21:14
Toshiba Desarrolla la Tecnología de Fotosíntesis Artificial de Más Alta Eficiencia del Mundo para la Generación de Combustible y Materia Prima a partir de Dióxido de Carbono
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de una nueva tecnología que utiliza la energía solar, la potencia del sol, para generar compuestos de carbono a partir de dióxido de carbono y agua, y ...
Communicado publicado en el 03/12/2014 - 22:20
Toshiba Celebra la Inauguración de su Nueva Planta de Semiconductores en Tailandia
-- Va a reubicar el ensamblado discreto en el nuevo centro --.
Communicado publicado en el 29/08/2013 - 21:17
Toshiba desarrolla un modelo de simulación MOS-Varactor compacto para el desarrollo de circuitos de onda milimétrica CMOS
- Buena exactitud de CC a milímetro con un solo modelo -.
Communicado publicado en el 17/12/2012 - 16:52
Estrategia de Negocios de Almacenamiento de Toshiba
Innovación Total en Almacenamiento.
Communicado publicado en el 05/04/2013 - 09:46
Toshiba lanza el nuevo MOSFET de canal N con baja resistencia de encendido
Los últimos productos de procesos de octava generación para usar en los circuitos de protección de baterías de iones de litio y en los interruptores de gestión de alimentación de teléfonos celulares.
Communicado publicado en el 07/12/2012 - 15:49
Toshiba Lanza los Nuevos Circuitos Integrados de Compuerta Lógica Multifunción CMOS
Soporta sistemas de 5V en un paquete pequeño especialmente adecuado para dispositivos móviles.
Communicado publicado en el 11/12/2012 - 02:50
Toshiba y SanDisk Anuncian el Inicio de la Instalación de Equipos en la Nueva Fab 2 de Yokkaichi
Se Firmaron los Acuerdos Definitivos para la Nueva Fab 2.
Communicado publicado en el 21/10/2015 - 15:40
Toshiba Inicia Producción en Masa de Sensor de Imagen CMOS de 13 Megapíxeles
Uno de los chips más pequeños del mundo, de bajo consumo energético.
Communicado publicado en el 24/04/2015 - 17:51