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Panasonic Desarrolla Diodos GaN con Operaciones de Alta Corriente y Bajo Voltaje de Encendido
Panasonic Corporation anunció hoy el desarrollo de diodos de nitruro de galio (gallium nitride, GaN) que no sólo operan en una alta corriente que es cuatro veces mayor a la tolerada por los diodos convencionales de ...
Communicado publicado en el 01/10/2015 - 21:45
BitFury Group y Georgian Co-Investment Fund Recaudaron Más de 64 000 USD en Bitcoins Durante la Campaña para Recaudar Fondos Destinados a Ayudar a las Víctimas de las Recientes Inundaciones Devastadoras en Tbilisi, Georgia
Los fondos recaudados como resultado de la campaña para juntar Bitcoins en todo el mundo han sido donados al Ayuntamiento de Tbilisi, al Zoológico de Tbilisi y al Refugio para Perros de Tamaz Elizbarashvili. ...
Communicado publicado en el 15/07/2015 - 19:53
Mellanox Presenta el Primer Conmutador Basado en Open Ethernet de 25/100 Gigabit del Mundo
Spectrum™, el primer conmutador de 100G sin bloqueo del mundo, ofrece rendimiento líder, latencia, eficacia energética y escalabilidad para construir las más eficaces fibras de centros de datos de Ethernet de 25, 50 y 100 ...
Communicado publicado en el 19/06/2015 - 10:41
BitFury Adquiere Parcela Privatizada en la República de Georgia para Construir Parque Tecnológico
BitFury Group, la compañía proveedora líder de infraestructura Bitcoin Blockchain y de procesamiento de transacciones, anunció hoy que está adquiriendo una parcela privatizada de 185 000 metros cuadrados, ...
Communicado publicado en el 02/06/2015 - 11:23
Panasonic Lanzará el Paquete de Transistores de Potencia de 600 V de GaN con Modo de Refuerzo Más Pequeño de la Industria*
Panasonic Corporation anunció hoy el lanzamiento del paquete de transistores de potencia (X-GaNTM)** y modo de refuerzo[1] de nitruro de galio (GaN)[2] más pequeño de la industria. El GaN está encapsulado en un ...
Communicado publicado en el 18/05/2015 - 23:49
Toshiba Desarrolla la Primera BiCS (Memoria Flash Tridimensional de Estructura Apilada) de 48 Capas del Mundo
Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el desarrollo de la primera memoria flash tridimensional de estructura*2 de células apiladas de 48 capas*1 del mundo, denominada BiCS, un dispositivo de 2 bits ...
Communicado publicado en el 26/03/2015 - 12:30
eASIC y Comcores Anuncian la Disponibilidad de CPRI v6.1
eASIC Corporation, (@easic) una compañía sin centro de fabricación de semiconductores que ofrece una plataforma (eASIC Platform) de circuitos integrados personalizados (IC), y Comcores ApS, con sede en Dinamarca, ...
Communicado publicado en el 02/03/2015 - 21:16
Toshiba Desarrolla Transistores de Efecto de Campo de Tunelización para MCU de Ultra Baja Potencia
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de Transistores de Efecto de Campo de Tunelización (Tunneling Field Effect Transistors, TFET) que utilizan un nuevo principio de funcionamiento para ...
Communicado publicado en el 11/09/2014 - 23:00
Toshiba: Un dispositivo de estructura innovadora en el MOSFET de bajo consumo para aplicaciones RF/analógicas
Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) anunció hoy el desarrollo de un transistor de alta ganancia de potencia utilizando un proceso compatible con CMOS. El transistor reduce eficazmente el consumo de energía en la ...
Communicado publicado en el 11/06/2013 - 16:20
Evergreen Solar obtiene la certificación que permite la entrada de los paneles solares String Ribbon® en el mercado solar británico
La certificación Microgeneration de Reino Unido (MCS), junto con la certificación para una utilización en un entorno salino obtenida anteriormente, hace que los paneles solares de Evergreen sean ideales para instalaciones ...
Communicado publicado en el 23/11/2010 - 16:09
GLOBALFOUNDRIES y Freescale Partner desarrollarán tecnologías de memorias flash de 90nm
Tecnología de avanzada dirigida al uso en plataformas industriales de próxima generación y microcontroladores multimercado Freescale..
Communicado publicado en el 02/09/2010 - 14:38
Power Integrations amplía la topología flyback para alcanzar los 440 W y ofrece alternativas más sencillas a los diseños de potencia resonante
Los nuevos circuitos integrados TOPSwitchGaN duplican con creces la potencia de salida, lo que reduce el costo del sistema, su complejidad y el tiempo de diseño.
Communicado publicado en el 23/03/2026 - 21:45
La PI serie ISP8200-FS mejorada de VeriSilicon obtiene la certificación de seguridad funcional ASIL B
Brindar sistemas de cámaras automotrices de alto rendimiento de próxima generación.
Communicado publicado en el 05/02/2026 - 18:42
Murata presenta guía tecnológica para mejorar la estabilidad de energía en centros de datos impulsados por IA
Murata Manufacturing Co., Ltd. (TOKIO: 6981) (ISIN: JP3914400001) presentó la guía tecnológica “Optimización de redes de suministro de energía para servidores de IA en centros de datos de próxima generación”. Disponible en el sitio web ...
Communicado publicado en el 04/02/2026 - 23:08
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