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Toshiba Expande la Línea de MOSFET de Canal N de Baja Tensión
La Baja Resistencia de Encendido Reduce la Pérdida de Conducción en Equipos Móviles.
Communicado publicado en el 10/07/2013 - 17:11
Toshiba Lanza el Nuevo MOSFET "SSM3K337R" para Controladores de Relé
La estructura de enganche activa impide la sobretensión cuando se apaga la carga inductiva..
Communicado publicado en el 21/06/2013 - 16:28
Toshiba lanza un circuito integrado de radiofrecuencia (Radio Frequency-Integrated Circuit, RF-IC) para el sistema de cobro electrónico de peaje (Electronic Toll Collection, ETC) de China
Logra bajo consumo de energía y baja tensión adecuados para la operación a batería.
Communicado publicado en el 05/06/2013 - 14:24
Toshiba lanza los nuevos circuitos integrados para bus de conmutador SPDT de una sola pista (dos canales diferenciales) compatibles con el PCI Express Gen3 (8 Gbps)
Alcanza un ancho de banda elevado de 11,5 GHz a -3 dB.
Communicado publicado en el 28/03/2013 - 14:22
Toshiba lanza el MOSFET de baja resistencia de encendido N-ch de 100V para aplicaciones en vehículos
Utiliza el paquete "DPACK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.
Communicado publicado en el 06/03/2013 - 17:28
Toshiba exhibirá el adaptador micro USB compatible con la tecnología de transferencia inalámbrica cercana TransferJet(TM) en MWC 2013
Demostración del intercambio de datos entre un teléfono inteligente y una tableta.
Communicado publicado en el 22/02/2013 - 18:50
Toshiba Desarrolla Circuitos de Procesamiento de Señales Mixtas Analógicas y Digitales de Dominio Temporal
- Para reducir un 38 % del circuito de corrección de errores de memoria flash NAND -.
Communicado publicado en el 21/02/2013 - 21:02
Toshiba lanza un acoplador de transistores de alto voltaje y aislamiento reforzado
Un estuche más pequeño y más delgado contribuye a ahorrar espacio de cartón.
Communicado publicado en el 20/02/2013 - 17:19
Toshiba y NuFlare galardonados con el 59.o Okochi Memorial Grand Production Prize (Gran Premio Memorial de Producción Okochi)
--Por el Desarrollo y Aplicación de Escritores de Máscaras de Integración a Gran Escala (Large Scale Integration, LSI)--.
Communicado publicado en el 13/02/2013 - 12:51
Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones Automotrices
La última línea agrega el paquete "DPAK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.
Communicado publicado en el 25/01/2013 - 19:25
Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones en Vehículos
También logra una baja pérdida de corriente y una operación a 175 °C.
Communicado publicado en el 15/01/2013 - 17:15
Toshiba lanza fotorelés de consumo de energía ultrabajo
80 % de reducción en el disparador de corriente LED con respecto al modelo anterior.
Communicado publicado en el 11/01/2013 - 16:08
Toshiba Lanza el Nuevo Opto Acoplador con Amplificador de Potencia IGBT/MOSFET
Ayuda a reducir el tiempo muerto y mejora la eficacia en circuitos inversores en un rango de temperatura operativa entre -40 °C y 125 °C..
Communicado publicado en el 08/01/2013 - 15:03
Toshiba Lanza los Nuevos Circuitos Integrados para Bus de Conmutación que Soportan PCI Express 3.0 (8Gbps)
Logra ancho de banda elevado de 10 GHz al reducir la capacitancia del terminal de conmutación.
Communicado publicado en el 26/12/2012 - 03:09
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