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Toshiba Lanza la Serie "πMOS VIII" de MOSFET de Alta Tensión
Reduce la resistencia en encendido en aproximadamente un 24 %.
Communicado publicado en el 22/07/2013 - 08:36
Toshiba Expande la Línea de MOSFET de Canal N de Baja Tensión
La Baja Resistencia de Encendido Reduce la Pérdida de Conducción en Equipos Móviles.
Communicado publicado en el 10/07/2013 - 17:11
Toshiba Lanza el Nuevo MOSFET "SSM3K337R" para Controladores de Relé
La estructura de enganche activa impide la sobretensión cuando se apaga la carga inductiva..
Communicado publicado en el 21/06/2013 - 16:28
Toshiba lanza un circuito integrado de radiofrecuencia (Radio Frequency-Integrated Circuit, RF-IC) para el sistema de cobro electrónico de peaje (Electronic Toll Collection, ETC) de China
Logra bajo consumo de energía y baja tensión adecuados para la operación a batería.
Communicado publicado en el 05/06/2013 - 14:24
Toshiba lanza el MOSFET de baja resistencia de encendido N-ch de 100V para aplicaciones en vehículos
Utiliza el paquete "DPACK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.
Communicado publicado en el 06/03/2013 - 17:28
Toshiba exhibirá el adaptador micro USB compatible con la tecnología de transferencia inalámbrica cercana TransferJet(TM) en MWC 2013
Demostración del intercambio de datos entre un teléfono inteligente y una tableta.
Communicado publicado en el 22/02/2013 - 18:50
Toshiba Desarrolla Circuitos de Procesamiento de Señales Mixtas Analógicas y Digitales de Dominio Temporal
- Para reducir un 38 % del circuito de corrección de errores de memoria flash NAND -.
Communicado publicado en el 21/02/2013 - 21:02
Toshiba lanza un acoplador de transistores de alto voltaje y aislamiento reforzado
Un estuche más pequeño y más delgado contribuye a ahorrar espacio de cartón.
Communicado publicado en el 20/02/2013 - 17:19
Toshiba y NuFlare galardonados con el 59.o Okochi Memorial Grand Production Prize (Gran Premio Memorial de Producción Okochi)
--Por el Desarrollo y Aplicación de Escritores de Máscaras de Integración a Gran Escala (Large Scale Integration, LSI)--.
Communicado publicado en el 13/02/2013 - 12:51
Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones Automotrices
La última línea agrega el paquete "DPAK+" adecuado para conmutación de alta velocidad.
Communicado publicado en el 25/01/2013 - 19:25
Toshiba Lanza el MOSFET de Baja Resistencia en Encendido para Aplicaciones en Vehículos
También logra una baja pérdida de corriente y una operación a 175 °C.
Communicado publicado en el 15/01/2013 - 17:15
Toshiba lanza fotorelés de consumo de energía ultrabajo
80 % de reducción en el disparador de corriente LED con respecto al modelo anterior.
Communicado publicado en el 11/01/2013 - 16:08
Toshiba Lanza el Nuevo Opto Acoplador con Amplificador de Potencia IGBT/MOSFET
Ayuda a reducir el tiempo muerto y mejora la eficacia en circuitos inversores en un rango de temperatura operativa entre -40 °C y 125 °C..
Communicado publicado en el 08/01/2013 - 15:03
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