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El N-channel LDMOS, Totalmente Aislado, Recientemente Desarrollado por Toshiba Comprende Robustez de Alta HBM y Alto Voltaje de Ruptura a Polarización Negativa en Semiconductores de Potencia Analógica de Generación de Micrones 0,13.

Toshiba (TOKYO: 6502) ha desarrollado tecnología N-channel LDMOS totalmente aislada que soporta el intercambio entre el voltaje de corte a la polarización negativa (BVnb) y robustez HBM, una medida de resistencia a ...

Communicado publicado en el 02/06/2017 - 15:18

Solcon Industries logra éxito mundial con su DriveStart de media tensión

Innovador dispositivo para motores garantiza control pleno y menor consumo de energía.

Communicado publicado en el 18/04/2017 - 12:00

Seiko Instruments Lanza un Nuevo Regulador LDO Automotor con Capacidad de Tensión de Entrada de 36 V y Corriente de Salida de 250 mA

La serie S-19212 se caracteriza por contar con un bajo consumo de corriente de 6,5 uA para la reducción de corriente en modo de espera en aplicaciones automotrices directamente conectadas con baterías.

Communicado publicado en el 03/03/2015 - 01:00

Panasonic Presenta lo Último en Hogares Inteligentes y Aplicaciones para Automóviles en electrónica 2014

Panasonic Automotive & Industrial Systems Europe (PAISEU), que combina las décadas de experiencia de Panasonic Automotive Systems Europe, Sanyo Components Europa, Panasonic Industrial Devices Sales Europe y Panasonic ...

Communicado publicado en el 14/11/2014 - 10:01

Toshiba Lanzará MOSFET ultra compactos para los circuitos de carga de alta corriente de dispositivos móviles

Se amplía la serie para los paquetes de disipación de alta potencia.

Communicado publicado en el 29/07/2013 - 12:07

Toshiba Lanza la Serie "πMOS VIII" de MOSFET de Alta Tensión

Reduce la resistencia en encendido en aproximadamente un 24 %.

Communicado publicado en el 22/07/2013 - 08:36

Toshiba introduce la serie MOSFET “DTMOS IV” superacomplamiento para sistema de 650 V

Realiza un desempeño de baja resistencia de encendido de primer nivel1.

Communicado publicado en el 18/07/2013 - 15:03

Toshiba Expande la Línea de MOSFET de Canal N de Baja Tensión

La Baja Resistencia de Encendido Reduce la Pérdida de Conducción en Equipos Móviles.

Communicado publicado en el 10/07/2013 - 17:11

Toshiba Expande su Línea de MOSFET de Potencia para Estaciones de Base y Servidores

Lanza productos de 60V con un desempeño de baja resistencia en encendido de primera clase[1] y conmutación de alta velocidad.

Communicado publicado en el 28/06/2013 - 15:39

Toshiba Lanza el Nuevo MOSFET "SSM3K337R" para Controladores de Relé

La estructura de enganche activa impide la sobretensión cuando se apaga la carga inductiva..

Communicado publicado en el 21/06/2013 - 16:28

Toshiba Introduce el MOSFET de Potencia con Tensión de 30V para Estaciones de Base y Servidores

Logra desempeño de baja resistencia de encendido y conmutación de alta velocidad de primera clase [Nota 1].

Communicado publicado en el 18/06/2013 - 13:18

Toshiba desarrolla la primera celda MROM con estructura de celda de nivel múltiple

Toshiba Corporation (TOKIO:6502) anunció hoy el desarrollo de la primera celda MROM del mundo para ofrecer mejores características de corriente de celda sin aumentar su tamaño. Este avance se logró al adoptar una ...

Communicado publicado en el 13/06/2013 - 14:39

Toshiba desarrolla el TMPM36BFYFG, un nuevo microcontrolador basado en el núcleo CORTEX™-M3

Toshiba (TOKYO:6502) anunció hoy la última incorporación a su serie TXO3 de microcontroladores basados en núcleos ARM® , el TMPM36BFYFG. El nuevo dispositivo mejora el rendimiento básico y reduce el consumo de ...

Communicado publicado en el 03/04/2013 - 16:24

Toshiba Expande la Línea de IGBT Discretos para Fines Generales e Industriales

El producto TO-3P(N)/50A se agrega a la serie de conmutación robusta de 6.º generación.

Communicado publicado en el 29/03/2013 - 21:12